1、自Bi系高溫超導(dǎo)材料被人們發(fā)現(xiàn)以來，其超導(dǎo)機(jī)理和性質(zhì)一直是人們研究和關(guān)心的問題，也進(jìn)行了大量實(shí)驗(yàn)和理論的探索。對(duì)高溫超導(dǎo)體第二磁化峰效應(yīng)的起源也存在著多種多樣的解釋，至今還沒有一個(gè)完美的答案。本論文采用微霍爾探測(cè)計(jì)對(duì)用浮區(qū)法制備的單晶Bi<,2>Sr<,2>CaCu<,2>O<,8-y>(BSCCO)樣品進(jìn)行了磁測(cè)量，研究了其磁滯回線的雙峰效應(yīng)；建立了Bean臨界態(tài)相變物理模型，通過對(duì)磁通動(dòng)力學(xué)方程的數(shù)值求解，很好的模擬出了實(shí)驗(yàn)磁滯回線

2、，從而證實(shí)了Bi系高溫超導(dǎo)材料的第二峰效應(yīng)(SMP)主要是來源于磁通物質(zhì)有序態(tài)．無序態(tài)的相變。具體內(nèi)容如下： (1)簡(jiǎn)單介紹了高溫超導(dǎo)材料的發(fā)現(xiàn)和主要特征，高溫超導(dǎo)材料的峰效應(yīng)及其起源的解釋，高溫超導(dǎo)材料的磁通動(dòng)力學(xué)理論等。 (2)詳細(xì)介紹了實(shí)驗(yàn)樣品的制備和測(cè)量工作，得到樣品的第二磁化峰效應(yīng)，在此基礎(chǔ)上研究了不同樣品所表現(xiàn)出來的明顯的尺寸效應(yīng)；分析樣品的不可逆線，并且擬合出臨界電流密度的表達(dá)式。 (3)建立Bea

3、n臨界態(tài)相變物理模型，對(duì)磁通運(yùn)動(dòng)方程進(jìn)一步簡(jiǎn)化，采用隱式差分格式和追趕法進(jìn)行數(shù)值求解，得到模擬的樣品測(cè)量磁滯回線，并通過研究模型各參量對(duì)曲線的影響，對(duì)模型的曲線進(jìn)行優(yōu)化，進(jìn)而研究它的尺寸相關(guān)效應(yīng)等。 (4)不斷完善并改進(jìn)Bean臨界態(tài)相變物理模型，通過對(duì)樣品實(shí)驗(yàn)測(cè)量曲線的擬合，得到臨界電流密度的表達(dá)式，并帶入磁通運(yùn)動(dòng)方程中，得到比較接近實(shí)驗(yàn)測(cè)量的磁滯回線；另外對(duì)模型加入雙指數(shù)項(xiàng)，并考慮了不可逆磁場(chǎng)部分的影響，最后獲得了非常吻合的