1、本文主要研究等離子顯示器(Plasma Display Panel,PDP)驅(qū)動電路輸出端的靜電保護(Electro-Static discharge,ESD)問題,屬于高壓靜電防護設(shè)計領(lǐng)域,在芯片生產(chǎn)、測試等過程中會遭受靜電放電損傷,而且高壓器件的靜電防護能力較弱,因此,靜電防護設(shè)計存在重大意義。本論文的靜電放電保護設(shè)計主要有三方面內(nèi)容。
　　(1)首先針對四種基本靜電防護器件進行器件設(shè)計和工藝仿真,然后交于foundry流片,

2、并進行了傳輸線脈沖(Transmission line pulse,TLP)測試。測試結(jié)果顯示TLP測試和工藝仿真之間有良好的對應(yīng)關(guān)系,其中LIGBT器件的全芯片靜電防護能力最強,HBM可以達到6KV以上,同時設(shè)計者還發(fā)現(xiàn)器件的靜電放電保護能力和防閂鎖能力存在矛盾。
　　(2)設(shè)計者又重點優(yōu)化了LIGBT器件的結(jié)構(gòu)參數(shù)來最大程度的提高其靜電放電能力,該優(yōu)化的主要思路為減短靜電放電電流路徑,從而降低其靜電放電時的導(dǎo)通電阻,盡量降低產(chǎn)

3、生的熱量,從而保護器件不受損毀,該針對器件結(jié)構(gòu)優(yōu)化一定程度改善了器件的抗靜電放電能力,但未根本解決器件泄放電流能力和閂鎖矛盾。
　　(3)另一種設(shè)計思路是選擇性觸發(fā)寄生Silicon Controlled Rectifier(SCR)結(jié)構(gòu)和PNP結(jié)構(gòu)。其具體設(shè)計方案為用一個開關(guān)管來選擇性控制靜電放電能力強的SCR開啟還是抗閂鎖能力強的 PNP開啟,開關(guān)管用低壓N-Mental-Oxide-Semiconductor(NMOS)來實