1、該學位論文是關于探索TiO<,2>壓敏陶瓷用于微電機消噪的環(huán)形壓敏電阻的可行性方面的研究.該類元件不僅要求其具有伏安非線性特性,同時還應具有較大的電容量.目前國內該類產品有SrTiO<,3>系列或ZnO系列,但前者工藝復雜,后者不具備電容性.現有研究業(yè)已表明,TiO<,2>壓敏陶瓷具有此項應用的開發(fā)潛力,極有可能被開發(fā)成為一個新的系列.在前期關于n型半導化TiO<,2>陶瓷的基本特性的研究基礎上,該文針對上述具體應用,在TiO<,2>陶

2、瓷的低壓化及高介電系數改性方面進行了系統(tǒng)的研究.首先,改Nb<,2>O<,5>作為施主摻雜,同時調整受主SrCO<,3>、助燒劑Bi<,2>O<,3>等的摻雜劑量,摸索出了適合于微電機消噪的低壓TiO<,2>系電容—壓敏復合功能材料的優(yōu)化組成配方,為進一步開發(fā)研究積累了實驗經驗.其次,系統(tǒng)地測試了ZnO、SrTiO<,3>和TiO<,2>不同系列的低壓壓敏陶瓷的J-E特性,綜合分析了這類材料的晶界導電行為,以雙Schotty勢壘模型為基

3、礎,明確提出了在一般情況下(電場不太大),其導電機制仍然是晶界電子熱發(fā)射過程.再次,在工藝技術方面做了大量細致的實驗研究.已經探明:與傳統(tǒng)的裸燒工藝相比,埋燒可以降低材料參數E<,10mA>,增大材料的視在介電常數ε<,rα>;適當低的燒結溫度,有利于降低材料參數E<,10mA>和增大視在介電常數ε<,rα>,但同時非線性系數α也相應較小,較佳的燒結溫度為1250℃左右.此外,根據擬定元件形體結構和性能參數,推算出了元件的主要電性能參數