1、由于PWM技術(shù)應(yīng)用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中，功率變換器采用MOSFET、IGBT、可關(guān)斷晶閘管等開關(guān)器件。為了得到更好的電機(jī)系統(tǒng)控制性能指標(biāo)，開關(guān)器件的開關(guān)頻率較高，其開通和關(guān)斷的瞬間產(chǎn)生很大的電壓和電流突變，大的電壓、電流變化率會(huì)產(chǎn)生強(qiáng)電磁干擾(EMI)，往往超出電磁兼容標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的允許值。產(chǎn)生的電磁干擾主要是以傳導(dǎo)的形式進(jìn)行傳播的，為了使PWM驅(qū)動(dòng)電機(jī)系統(tǒng)本身和它周圍的環(huán)境達(dá)到電磁兼容(EMC)的目標(biāo)，進(jìn)行PWM驅(qū)動(dòng)電機(jī)系統(tǒng)傳導(dǎo)干擾的研究是非

2、常必要的。本文研究傳導(dǎo)干擾的重點(diǎn)是傳導(dǎo)干擾預(yù)測(cè)。
　　為了驗(yàn)證預(yù)測(cè)模型的正確性，本文針對(duì)感應(yīng)電機(jī)PWM驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)所存在的傳導(dǎo)干擾進(jìn)行分析和研究。由于干擾源和干擾通道的不同將傳導(dǎo)干擾分為共模(CM)干擾和差模(DM)干擾，建模的總體思路是干擾源加干擾通道的模式，首先分析傳導(dǎo)干擾的機(jī)理，然后在時(shí)頻域中建立等效電路。
　　共模和差模的主要干擾源是開關(guān)器件的通斷產(chǎn)生的，本文針對(duì)IGBT的時(shí)域行為模型抽取出時(shí)域和頻域干擾源模型。由于傳導(dǎo)

3、干擾的路徑和上下橋臂IGBT的開通和關(guān)斷有很大關(guān)系，因此分析了IGBT不同的開關(guān)狀態(tài)下的共模干擾和差模干擾的傳播路徑及其共模干擾和差模干擾傳播的特點(diǎn)。
　　在機(jī)理分析的基礎(chǔ)上建立共模干擾和差模干擾的數(shù)學(xué)模型。為了驗(yàn)證模型的可靠性，遵循分析問(wèn)題的一般規(guī)律，先后采用了三種方法進(jìn)行數(shù)學(xué)模型的建立。分別為時(shí)域模擬實(shí)際電路法、時(shí)域簡(jiǎn)化電路法和頻域法。時(shí)域模擬實(shí)際電路法就是完全模仿實(shí)際系統(tǒng)的正常工作，每個(gè)環(huán)節(jié)遵照實(shí)際情況進(jìn)行建模，干擾源和干擾