1、鋁鎵氮（AlGaN）材料是GaN材料的三元合金，它屬于寬禁帶直接帶隙半導(dǎo)體，物理、化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定，其禁帶寬度隨材料中Al組分由0到1的變化在3.4～6.2ev之間連續(xù)變化，對(duì)應(yīng)可吸收光的長(zhǎng)波限在200～365nm之間變化。其中240～280nm波段是日光盲區(qū)，因此AlGaN是制作日光盲（日盲）紫外探測(cè)器的理想材料，可廣泛應(yīng)用于導(dǎo)彈尾焰探測(cè)、火災(zāi)監(jiān)測(cè)等領(lǐng)域。
　　一般探測(cè)器的研究包括以下幾個(gè)方面：器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、外延材料生長(zhǎng)、工藝技術(shù)研

2、究、器件制作及測(cè)試。本文的重點(diǎn)研究?jī)?nèi)容為：高 Al組分 n型 AlGaN（n-AlGaN）材料MOCVD生長(zhǎng)的研究、高Al組分n-AlGaN歐姆接觸技術(shù)的研究，另外還對(duì)制作出的320×256元AlGaN日盲p-i-n型焦平面陣列（FPA）探測(cè)器樣品進(jìn)行了性能測(cè)試與分析。
　　文章首先研究高Al組分n-AlGaN材料MOCVD生長(zhǎng)。主要通過(guò)對(duì)高溫AlN和AlxGa1-xN/AlN超晶格緩沖層的研究，優(yōu)化n-AlGaN材料的生長(zhǎng)，研究

3、生長(zhǎng)出鋁組分為0.6的n-AlGaN材料，得到它的n型載流子濃度為6.9×1018cm-3、室溫載流子遷移率為49.0cm2/v.s，滿足器件制作要求。
　　其次，利用圓形傳輸線模型（CTLM）進(jìn)行了大量n-Al0.6Ga0.4N歐姆接觸實(shí)驗(yàn)研究，歐姆接觸金屬方案為：Ti(20nm)/Al(200nm)。重點(diǎn)研究快速熱退火處理對(duì)Ti/Al/n-Al0.6Ga0.4N歐姆接觸的影響，并對(duì)退火工藝條件進(jìn)行了優(yōu)化。在制作歐姆接觸金屬薄膜

4、之前對(duì)樣品進(jìn)行表面預(yù)處理，處理?xiàng)l件如下：使用丙酮、酒精去油污各清洗5分鐘，用去離子水洗凈，再放入王水中煮沸20分鐘去除表面活性氧化物；金屬層制作完成后，對(duì)樣品進(jìn)行一系列快速熱退火處理實(shí)驗(yàn)，結(jié)果得到Ti/Al/n-Al0.6Ga0.4N歐姆接觸的最優(yōu)退火條件為：在氮?dú)猓∟2）氣氛下、670℃、120秒的快速熱退火處理，得到此時(shí)比接觸電阻率為2.95×10-4Ω·cm2。
　　最后對(duì)制作的探測(cè)器樣品進(jìn)行電學(xué)、光譜響應(yīng)及成像測(cè)試，測(cè)試結(jié)