1、核探測(cè)器核探測(cè)器一、核探測(cè)器的分類1、按探測(cè)器的輻射物理過程分類1）電離型探測(cè)器如：電離室、GM管、正比計(jì)數(shù)器、半導(dǎo)體、核徑跡2）發(fā)光型探測(cè)器如：閃爍體、熱釋光、火花室2、按探測(cè)器材料和工作原理分類1）氣體探測(cè)器電離室、正比計(jì)數(shù)器、GM計(jì)數(shù)器、多絲室正比室、漂移室2）閃爍體探測(cè)器NaI(Tl)、CsI(Tl)、ZnS(Ag)、玻璃、液體、塑料體、有機(jī)晶體3）半導(dǎo)體探測(cè)器結(jié)型、勢(shì)壘型、HPGe、SiPIN、PN結(jié)金硅面壘型半導(dǎo)體探測(cè)器4）

2、其它探測(cè)器：核徑跡、熱釋光二、各核探測(cè)器的工作原理1、氣體探測(cè)器、氣體探測(cè)器氣體電離探測(cè)器是以氣體作為帶電粒子電離或激發(fā)的介質(zhì)，在氣體電離空間置有兩個(gè)電極，外加電場(chǎng)并保持一定的電位差，當(dāng)帶電粒子穿過氣體時(shí)與氣體分子軌道上的電子發(fā)生碰撞，使氣體分子產(chǎn)生電離而形成離子對(duì)，在電場(chǎng)中電子向正極移動(dòng)，正離子向負(fù)極移動(dòng)，最后到達(dá)二極而被收集起來，使電子線路上引起瞬時(shí)電壓變化（電壓脈沖）而由后續(xù)的電子儀器記錄。氣體中電子與離子的運(yùn)動(dòng)規(guī)律決定探測(cè)器的基

3、本特性。電離室分類電離室分類1）脈沖電離室，記錄單個(gè)輻射粒子，主要用于測(cè)量重帶電粒子的能量和強(qiáng)度。2）電流電離室和累計(jì)電離室，分別記錄大量輻射粒子平均效應(yīng)和累計(jì)效應(yīng)，主要用于測(cè)量X，β，γ和中子的照射量率或通量、劑量或劑量率，它是劑量監(jiān)測(cè)和反應(yīng)堆控制的主要傳感元件。正比計(jì)數(shù)器的工作原理正比計(jì)數(shù)器的工作原理：氣體探測(cè)器工作于正比區(qū)，在離子收集的過程中將出現(xiàn)氣體放大現(xiàn)象，即被加速的原電離電子在電離碰撞中逐次倍增（雪崩現(xiàn)象）。于是，在收集電極

4、上感生的脈沖幅度V∞將是原電離感生的脈沖幅度的M倍，處于這種工作狀態(tài)下的氣體探測(cè)器就是正比計(jì)數(shù)器。采用不同的結(jié)構(gòu)，充不同的氣體，可以設(shè)計(jì)出測(cè)量不同射線：α、β、γ、X、n的正比計(jì)數(shù)管。1）入射粒子損失能量，傳遞給半導(dǎo)體原子的電子2）次級(jí)粒子與半導(dǎo)體物質(zhì)相互作用，產(chǎn)生載流子（電子空穴對(duì)），對(duì)于帶電粒子則直接電離3）載流子在耗盡層內(nèi)電場(chǎng)作用下向兩級(jí)運(yùn)動(dòng)，在電極上產(chǎn)生感應(yīng)電荷，形成電脈沖信號(hào)。金硅面壘探測(cè)器，由于耗盡層厚度較薄，主要用于探測(cè)帶

5、電重粒子(如α、P等)，亦可用作能譜測(cè)量，探測(cè)效率近于100％。也可用于β射線測(cè)量，對(duì)γ射線不靈敏。HPGe在低溫下工作主要測(cè)量γ射線和X射線；示波器示波器模擬示波器與數(shù)字示波器的對(duì)比模擬示波器與數(shù)字示波器的對(duì)比1、模擬示波器只能觀察簡(jiǎn)單重復(fù)信號(hào)（正弦波，方波，三角波等）和復(fù)雜的重復(fù)信號(hào)（電視信號(hào)），而不能觀察數(shù)字信號(hào)。像測(cè)電源開與關(guān)一瞬間的電壓上升時(shí)間如果用用模擬示波器是很難辦到的而用數(shù)字示波器就很簡(jiǎn)單。利用數(shù)字示波器的單次捕捉功能就

6、OK；2、模擬示波器只有邊沿（電平）觸發(fā)功能而數(shù)字示波器不緊有邊沿觸發(fā)功能還具有視頻觸發(fā)、脈沖觸發(fā)、邏輯觸發(fā)、擺幅觸發(fā)等這樣捕捉波形的能力就比模擬示波器強(qiáng)；3、數(shù)字示波器能捕捉觸發(fā)之前的事件和觸發(fā)之后的事件而模擬示波器是不能觀察到，模擬信號(hào)更能反映信號(hào)的事實(shí)性4、模擬示波器的某些特點(diǎn)，卻是數(shù)字示波器所不具備的：操作簡(jiǎn)單——全部操作都在面板上，波形反應(yīng)及時(shí)，數(shù)字示波器往往要較長(zhǎng)處理時(shí)間。垂直分辨率高——連續(xù)而且無限級(jí)，數(shù)字示波器分辨率一般