基于密度泛函理論研究NiSi-,n-和Y-,n-Al團(tuán)簇.pdf_第1頁(yè)
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1、隨著現(xiàn)代實(shí)驗(yàn)技術(shù)的發(fā)展,越來越多的納米簇被成功研制出來,但無法從實(shí)驗(yàn)上獲得這些團(tuán)簇的幾何和電子結(jié)構(gòu)的全面微觀信息,因此理論研究成為獲得團(tuán)簇結(jié)構(gòu)信息最有效的途徑,尤其是基于密度泛函理論的計(jì)算,可以對(duì)中等尺寸的體系得到精確度相當(dāng)高的計(jì)算結(jié)果。因此,本文基于第一性原理,利用密度泛函理論中的廣義梯度近似(GGA)方法,對(duì)NiSi<,n>(n=1~13)團(tuán)簇和Y<,n>Al(n=1~14)團(tuán)簇的穩(wěn)定結(jié)構(gòu),相對(duì)穩(wěn)定性,能隙,電荷轉(zhuǎn)移以及磁性進(jìn)行了系

2、統(tǒng)的研究。 首先,利用密度泛函理論中的廣義梯度近似(GGA)系統(tǒng)研究了NiSi<,n>(n=1~13)團(tuán)簇,在充分考慮自旋多重度的基礎(chǔ)上討論了這些團(tuán)簇的生長(zhǎng)行為,電子性質(zhì)及其磁性,結(jié)果表明:NiSi<,n+1>的基態(tài)結(jié)構(gòu)是在NiSi<,n>的基態(tài)結(jié)構(gòu)上帶帽一個(gè)Si原子而得到;摻雜Ni原子提高了硅團(tuán)簇的穩(wěn)定性;NiSi<,10>團(tuán)簇的穩(wěn)定性在所有團(tuán)簇中是最高的;當(dāng)n=1,2時(shí),團(tuán)簇的自旋總磁矩為2μ<,B>,當(dāng)n≥3時(shí),團(tuán)簇的磁性

3、消失,這可能與Ni原子內(nèi)部較強(qiáng)的sp-d雜化以及Si原子內(nèi)部的s-p雜化有關(guān)。 其次,我們選擇Al原子作為雜質(zhì)原子,利用密度泛函理論中的廣義梯度近似(GGA)系統(tǒng)研究了Y<,n>Al(n=1~14)團(tuán)簇的幾何構(gòu)型,穩(wěn)定性,電子和磁性質(zhì)。結(jié)果表明,除了Y<,9>Al團(tuán)簇,Y<,n>Al團(tuán)簇的最穩(wěn)定構(gòu)型總體上與Y<,n+1>的基態(tài)構(gòu)型相一致。摻雜Al原子增強(qiáng)了釔團(tuán)簇的穩(wěn)定性。此外,所有不同尺寸的Y<,n>Al團(tuán)簇中,Y<,12>Al

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