成績構(gòu)成實(shí)驗(yàn)20作業(yè)10卷面70考試方式全開卷,可帶教材、講義、筆記等資料考試題型選擇4050題,簡答67題由于期末開卷考試成績差異不大,因而本課程得分關(guān)鍵在于兩次實(shí)驗(yàn)及其實(shí)驗(yàn)報(bào)告,分別是MOSFET管與IGBT的特性測試,涉及實(shí)驗(yàn)原理、波形圖的繪制以及相應(yīng)分析,是電...
下載價(jià)格:5 賞幣 / 發(fā)布人: 畢業(yè)設(shè)計(jì) / 發(fā)布時(shí)間:2024-03-07 / 4人氣
1電子器件電子器件實(shí)驗(yàn)講義實(shí)驗(yàn)講義目錄實(shí)驗(yàn)一實(shí)驗(yàn)一用圖示儀測量雙極型晶體管的直流參數(shù)用圖示儀測量雙極型晶體管的直流參數(shù)2實(shí)驗(yàn)二實(shí)驗(yàn)二晶體管開關(guān)時(shí)間的測量晶體管開關(guān)時(shí)間的測量10實(shí)驗(yàn)三實(shí)驗(yàn)三晶體管特征頻率的測量晶體管特征頻率的測量16實(shí)驗(yàn)四實(shí)驗(yàn)四晶體管基...
下載價(jià)格:9 賞幣 / 發(fā)布人: 畢業(yè)設(shè)計(jì) / 發(fā)布時(shí)間:2024-03-13 / 19人氣
國際電氣工程先進(jìn)技術(shù)譯叢傳熱學(xué)電力電子器件熱管理美搖搖YOUNESSHABANY搖著余小玲搖吳偉烽搖劉飛龍搖譯機(jī)械工業(yè)出版社譯搖者搖序隨著電子設(shè)備朝小型化和高功率密度方向的持續(xù)發(fā)展電力電子器件的熱管理已成為保證產(chǎn)品性能和壽命的關(guān)鍵技術(shù)。而傳統(tǒng)的電力電子器件設(shè)計(jì)...
下載價(jià)格:8 賞幣 / 發(fā)布人: 畢業(yè)設(shè)計(jì) / 發(fā)布時(shí)間:2024-03-12 / 13人氣
電阻導(dǎo)電體對(duì)電流的阻礙作用稱著電阻,用符號(hào)R表示,單位為歐姆、千歐、兆歐,分別用Ω、KΩ、MΩ表示。一、電阻的型號(hào)命名方法一、電阻的型號(hào)命名方法國產(chǎn)電阻器的型號(hào)由四部分組成(不適用敏感電阻)第一部分主稱,用字母表示,表示產(chǎn)品的名字。如R表示電阻,W表示...
下載價(jià)格:8 賞幣 / 發(fā)布人: 畢業(yè)設(shè)計(jì) / 發(fā)布時(shí)間:2024-03-07 / 3人氣
密封線以內(nèi)答題無效電子科技大學(xué)二零九至二零一零學(xué)年第一學(xué)期期末考試電子科技大學(xué)二零九至二零一零學(xué)年第一學(xué)期期末考試微電子器件課程考試題A卷(120120分鐘)考試形式閉卷考試日期2020也年L月10日1、PNPN結(jié)中P區(qū)和N區(qū)的摻雜濃度分別為NA和ND,本征載流子濃度為NK...
下載價(jià)格:4 賞幣 / 發(fā)布人: 世中仙 / 發(fā)布時(shí)間:2024-05-23 / 0人氣
一、填空題1PN結(jié)中P區(qū)和N區(qū)的摻雜濃度分別為和本征載流子濃度為ANDN,則PN結(jié)內(nèi)建電勢的表達(dá)式。INBIV2LNIDABINNNQKTV2對(duì)于單邊突變結(jié)結(jié),耗盡區(qū)主要分布在N區(qū),該區(qū)濃度越NP低,則耗盡區(qū)寬度值越大,內(nèi)建電場的最大值越??;隨著正向偏壓的增加,耗盡區(qū)寬度值降低,耗...
下載價(jià)格:6 賞幣 / 發(fā)布人: 畢業(yè)設(shè)計(jì) / 發(fā)布時(shí)間:2024-03-14 / 4人氣
1固體電子器件課程教學(xué)大綱一、課程說明(一)課程名稱、所屬專業(yè)、課程性質(zhì)、學(xué)分課程名稱半導(dǎo)體器件物理所屬專業(yè)微電子科學(xué)與工程課程性質(zhì)專業(yè)必修課學(xué)分4學(xué)分(二)課程簡介、目標(biāo)與任務(wù)【課程簡介】本課程的適用對(duì)象是電子工程專業(yè)、微電子學(xué)專業(yè)的本科生,也可...
下載價(jià)格:6 賞幣 / 發(fā)布人: 畢業(yè)設(shè)計(jì) / 發(fā)布時(shí)間:2024-03-09 / 4人氣
考試時(shí)間考試時(shí)間第十周周二第十周周二6868節(jié)考試地點(diǎn)待定考試地點(diǎn)待定微電子器件原理復(fù)習(xí)題及部分答案微電子器件原理復(fù)習(xí)題及部分答案一、填空1、PN結(jié)電容可分為擴(kuò)散電容和過渡區(qū)電容兩種,它們之間的主要區(qū)別在于擴(kuò)散電容產(chǎn)生于過渡區(qū)外的一個(gè)擴(kuò)散長度范圍內(nèi),其機(jī)...
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電子器件包括半導(dǎo)體分立器件和集成電路的內(nèi)部噪聲特別是低頻噪聲是制約器件靈敏度和檢測精度的一個(gè)關(guān)鍵指標(biāo)同時(shí)也是表征器件質(zhì)量和可靠性的一個(gè)重要的敏感參數(shù)對(duì)電子器件內(nèi)部噪聲的檢測與分析是軍用電子器件可靠性保證的一個(gè)有效手段電子器件噪聲分析儀的搭建的有兩...
下載價(jià)格:5 賞幣 / 發(fā)布人: 搭理你 / 發(fā)布時(shí)間:2024-03-11 / 6人氣
自旋電子學(xué)與自旋電子器件簡述自旋電子學(xué)與自旋電子器件簡述陳閩江,邱彩玉,孫連峰(國家納米科學(xué)中心器件研究室北京100190)一、引言一、引言2007年10月,瑞典皇家科學(xué)院宣布,將該年度諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)授予在1988年分別獨(dú)立發(fā)現(xiàn)納米多層膜中巨磁電阻效應(yīng)的法國ALBER...
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西安理工大學(xué)碩士學(xué)位論文單電子器件的蒙特卡羅模擬姓名李靜申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別碩士專業(yè)微電子學(xué)與固體電子學(xué)指導(dǎo)教師盧剛20070301ABSTRACTMONTECARLOSIMULATLONOFSLNGLEELECTRONDEVICESUBJECTMICROEIECTRONICSANDSOLIDELECTRONICSGRADUATESTUDENTLIJINGTUTORASSOCIATEPROF...
下載價(jià)格:5 賞幣 / 發(fā)布人: 萬象皆為過客 / 發(fā)布時(shí)間:2024-03-11 / 3人氣
自GAN(氮化鎵)高亮度藍(lán)光LED的發(fā)明獲得2014年諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)后,新型化合物半導(dǎo)體GAN逐漸被大眾所熟知?;贕AN的大功率電子器件以其高擊穿特性、高電流密度、高開關(guān)速度、低開態(tài)電阻和高熱穩(wěn)定性等優(yōu)勢引起了學(xué)術(shù)界和工業(yè)界的極大興趣。據(jù)統(tǒng)計(jì),全球每年大約有10...
下載價(jià)格:5 賞幣 / 發(fā)布人: 大椿 / 發(fā)布時(shí)間:2024-03-09 / 4人氣
本論文采用MONTECARLO法對(duì)單電子三極管、單電子存儲(chǔ)器和單電子加法器等典型單電子器件進(jìn)行了數(shù)值模擬。詳細(xì)考察了隧道結(jié)電阻、電容以及器件結(jié)構(gòu)布局等結(jié)構(gòu)參數(shù)和電源電壓、溫度等工作參數(shù)對(duì)單電子器件電學(xué)性能的影響。通過對(duì)單電子三極管電學(xué)特性的數(shù)值模擬。通過對(duì)...
下載價(jià)格:5 賞幣 / 發(fā)布人: 簡椿 / 發(fā)布時(shí)間:2024-03-10 / 6人氣
理學(xué)碩士學(xué)位論文卟啉分子電子器件的理論模擬THETHEETICALSIMULATIONONPPHYRINMOLECULARELECTRONICDEVICES金鑫哈爾濱工業(yè)大學(xué)2007年6月CLASSIFIEDINDEXQ74TN30453UDC535DISSERTATIONFTHEMASTERDEGREEINSCIENCETHETHEETICALSIMULATIONONPPHYRINMOLECULARELECTRONICDEV...
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GAN半導(dǎo)體材料具有禁帶寬度寬、臨界擊穿場強(qiáng)大、電子飽和漂移速度高以及ALGANGAN異質(zhì)結(jié)所具有的優(yōu)異的載流子輸運(yùn)特性等特點(diǎn),在功率電子器件方面具有獨(dú)特的優(yōu)勢,是下一代功率電子器件的優(yōu)選材料。而SI基GAN材料既能發(fā)揮GAN材料優(yōu)異的物理特性,又能兼顧SI材料大尺寸...
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11、若某突變PN結(jié)的P型區(qū)的摻雜濃度為,則室溫下該區(qū)的平衡多子濃度PP0與163A1510CMN平衡少子濃度NP0分別為()和()。3161051CMNA3141051CMNA2、在PN結(jié)的空間電荷區(qū)中,P區(qū)一側(cè)帶(負(fù))電荷,N區(qū)一側(cè)帶(正)電荷。內(nèi)建電場的方向是從(N)區(qū)指向(P)區(qū)。發(fā)生漂移...
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縮小集成器件的特征尺寸是提高集成電路綜合性能的最基本方法,也是半導(dǎo)體摩爾定律的基礎(chǔ)。在傳統(tǒng)的半導(dǎo)體器件中,電子被看成是經(jīng)典粒子,它通常只用于電子相干長度小于器件最小尺寸的條件。隨著集成器件尺寸的不斷縮小,電子能級(jí)的分離程度不斷增加,量子效應(yīng)開始顯...
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1折八肆匹乘水魂紹淹侖摟聳遼榷葡枉訝蒸保覆挫猾登婦哭什毯每渴怔楞莎妻穿茄顏玖飯渭祥劊吱堵邁灤菲逸擰銻羌茵執(zhí)曠憎姆遼娟曲邪誓悍力默予怖貍稱伊痔焰垣大潑溝夯喂醛餌櫥育搭跑猶盅邊厭嘩阿安湘夜鼠揪掖犁攀邀胡遷鎬塌搗虹詫驕倘毖矢痊勇愛崎譚權(quán)坷摻招祖攬戚語隨閩...
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