日本高级黄区免费,91精品国产一区二区三区免费,99爱国产精品免费视频,一区二区三区国产日韩欧美

                    站內(nèi)搜索 用時:21ms
                    • <em>gaas</em>太陽能電池15

                      <em>gaas</em>太陽能電池 gaas太陽能電池(15頁)

                      GAAS太陽能電池太陽能電池李永富太陽光輻射主要是以可見光為中心,分布于03微米至幾微米光譜范圍,對應光子能量04EV4EV之間,總體來說,理想太陽能電池材料需要具備能帶在11EV17EV之間對應光波長范圍073113ΜM直接能帶半導體組成材料無毒性可利用薄膜沉積技術且可大...

                      下載價格:6 賞幣 / 發(fā)布人: 畢業(yè)設計 / 發(fā)布時間:2024-03-07 / 11人氣

                    • LEC法生長<em>GaAs</em>、InP晶體及LEFZ法生長<em>GaAs</em>晶體中熱應力分布.pdf73

                      LEC法生長<em>GaAs</em>、InP晶體及LEFZ法生長<em>GaAs</em>晶體中熱應力分布.pdf LEC法生長GaAs、InP晶體及LEFZ法生長GaAs晶體中熱應力分布.pdf(73頁)

                      化合物半導體材料GAAS和INP是微電子和光電子的基礎材料。晶體中的位錯會大大降低晶體的電學和光學性能。位錯的產(chǎn)生歸結于由溫度梯度引起的熱應力。采用有限單元法數(shù)值求解了LEC法生長GAAS、INP晶體以及LEFZ法生長GAAS晶體中的熱應力。GAAS、INP晶體均假設為穩(wěn)態(tài)軸對...

                      下載價格:5 賞幣 / 發(fā)布人: 所謂 / 發(fā)布時間:2024-03-10 / 16人氣

                    • 高性能<em>GaAs</em>光電陰極研究.pdf140

                      高性能<em>GaAs</em>光電陰極研究.pdf 高性能GaAs光電陰極研究.pdf(140頁)

                      負電子親和勢砷化鎵GAAS光電陰極具有量子效率高,暗發(fā)射小,發(fā)射電子能量分布及角分布集中,長波閾可調(diào),長波響應擴展?jié)摿Υ蟮葍?yōu)點,以它為核心的第三代微光像增強器大大擴展了夜視儀器的長波閾和視距,在微光夜視領域得到了普遍應用。本文結合“十五”國防科技重點...

                      下載價格:5 賞幣 / 發(fā)布人: 獨行歸 / 發(fā)布時間:2024-03-11 / 6人氣

                    • <em>GaAs</em>材料的制備與表征.pdf78

                      <em>GaAs</em>材料的制備與表征.pdf GaAs材料的制備與表征.pdf(78頁)

                      GAAS是一種非常重要的ⅢⅤ族直接帶隙化合物半導體材料,具有高的電子遷移率,優(yōu)良的光電性能,廣泛應用于制造微波器件,紅外光電器件以及太陽能電池。GAAS是非常重要的光電子與微電子材料,深受國際關注,對于它的研究已經(jīng)成為當前半導體科學領域的熱點。工業(yè)生產(chǎn)中...

                      下載價格:5 賞幣 / 發(fā)布人: 失心 / 發(fā)布時間:2024-03-09 / 6人氣

                    • <em>gaas</em>基hbt器件及工藝研究52

                      <em>gaas</em>基hbt器件及工藝研究 gaas基hbt器件及工藝研究(52頁)

                      天津大學碩士學位論文GAAS基HBT器件及工藝研究姓名鄭堅斌申請學位級別碩士專業(yè)微電子學與固體電子學指導教師申云琴劉訓春200111ABSTRACTINTHISPAPERTHEAPPLICATIONOFHBTINHIGHSPEEDCIRCUITANDRFICISDISCUSSED;THENTHEFUNDAMENT,THEBASICSTRUCTUREANDTHEMAINCLASSOF...

                      下載價格:5 賞幣 / 發(fā)布人: admin / 發(fā)布時間:2024-03-12 / 12人氣

                    • <em>GaAs</em>材料光電壓譜特性分析.pdf58

                      <em>GaAs</em>材料光電壓譜特性分析.pdf GaAs材料光電壓譜特性分析.pdf(58頁)

                      負電子親和勢砷化鎵GAAS光電陰極具有量子效率高,暗發(fā)射小,發(fā)射電子能量分布及角分布集中,長波閾可調(diào),長波響應擴展?jié)摿Υ蟮葍?yōu)點,在近幾十年中取得了迅猛發(fā)展,并在微光夜視領域得到了普遍應用。目前在激活前對GAAS半導體材料參數(shù)的測試和評估比較困難,如何通過...

                      下載價格:5 賞幣 / 發(fā)布人: 一米陽光一縷光線 / 發(fā)布時間:2024-03-11 / 10人氣

                    • <em>GaAs</em>光電陰極缺陷特性研究.pdf54

                      <em>GaAs</em>光電陰極缺陷特性研究.pdf GaAs光電陰極缺陷特性研究.pdf(54頁)

                      GAAS基片是制備三代微光像增強器光電陰極的主要材料其質(zhì)量對光電材料的量子效率、分辨率等關鍵參數(shù)有著至關重要的影響GAAS光電陰極的針孔瑕疵是其質(zhì)量好壞的最直觀表現(xiàn)且成因復雜對GAAS光電陰極品質(zhì)有重要影響。優(yōu)質(zhì)的GAAS外延材料是實現(xiàn)激活高靈敏度陰極的先決條件...

                      下載價格:5 賞幣 / 發(fā)布人: 離我而去 / 發(fā)布時間:2024-03-10 / 6人氣

                    • <em>GaAs</em>及<em>GaAs</em>1-x-yNxBiy四元半導體材料的第一性原理研究.pdf63

                      <em>GaAs</em>及<em>GaAs</em>1-x-yNxBiy四元半導體材料的第一性原理研究.pdf GaAsGaAs1-x-yNxBiy四元半導體材料的第一性原理研究.pdf(63頁)

                      隨著全球科技快速發(fā)展,當今世界已經(jīng)進入了高速信息時代,光電技術在信息時代的科技發(fā)展中有著至關重要的地位,而在光電技術的發(fā)展中,半導體材料憑借著其良好的性能特點占據(jù)了很重要的地位,并迅速地擴大著它的應用領域。在半導體材料中,ⅢⅤ族化合物又占了很大的...

                      下載價格:5 賞幣 / 發(fā)布人: 既生非何生萌 / 發(fā)布時間:2024-03-09 / 7人氣

                    • <em>GaAs</em>中頻開關的設計與研制.pdf51

                      <em>GaAs</em>中頻開關的設計與研制.pdf GaAs中頻開關的設計與研制.pdf(51頁)

                      隨著雷達以及微波技術的發(fā)展對中頻開關的性能提出了越來越高的要求主要是在高隔離度低損耗的前提下提高開關速度GAAS中頻開關具有開關速度快損耗小隔離度高驅動功耗幾乎為零體積小等特點能夠滿足人們的要求為了充分發(fā)揮GAAS開關的速度性能提高GAAS微波開關的使用靈活...

                      下載價格:5 賞幣 / 發(fā)布人: 愛與理想 / 發(fā)布時間:2024-03-11 / 5人氣

                    • <em>GaAs</em>材料光電導開關器件模擬.pdf48

                      <em>GaAs</em>材料光電導開關器件模擬.pdf GaAs材料光電導開關器件模擬.pdf(48頁)

                      用半導體光電導開關PHOTOCONDUCTIVESEMICONDUCTSWITCHES簡稱PCSS’S產(chǎn)生的超短電磁脈沖可應用于雷達、通信、THZ成像等技術領域。與傳統(tǒng)開關相比PCSS’S具有開關速度快、觸發(fā)無晃動、寄生電感電容小、高重復頻率、結構簡單緊湊等特點。在觸發(fā)光脈沖一定的情況下半導體...

                      下載價格:5 賞幣 / 發(fā)布人: 沾花惹草說愛你 / 發(fā)布時間:2024-03-11 / 5人氣

                    • <em>GaAs</em>基片吸附脫附的研究.pdf59

                      <em>GaAs</em>基片吸附脫附的研究.pdf GaAs基片吸附脫附的研究.pdf(59頁)

                      1965年,光電發(fā)射領域出現(xiàn)了一種新型的光電發(fā)射材料GAASCS。它具有很多優(yōu)點,例如高量子效率、高靈敏度以及較小的暗發(fā)射。因此這種新型的光電發(fā)射材料引起了國內(nèi)外的廣泛重視。此后,ⅢⅤ族化合物GAAS、GAN、INP等光電發(fā)射材料制備的負電子親和勢NEA光電陰極,便成為...

                      下載價格:5 賞幣 / 發(fā)布人: 一輩子好 / 發(fā)布時間:2024-03-10 / 16人氣

                    • 提高<em>GaAs</em> MESFET擊穿電壓的研究.pdf45

                      提高<em>GaAs</em> MESFET擊穿電壓的研究.pdf 提高GaAs MESFET擊穿電壓的研究.pdf(45頁)

                      砷化鎵微波功率場效應晶體管GAASMESFET是一種在電子行業(yè)中廣泛應用的化合物半導體器件,它對微波功率器件和集成電路的發(fā)展具有很重要的影響。但是,國內(nèi)GAASMESFET柵漏擊穿電壓BVGD普遍偏低,一般僅為10V左右,這嚴重影響了器件的輸出功率和可靠性。因此,研制高BVGD...

                      下載價格:5 賞幣 / 發(fā)布人: 留下傷口 / 發(fā)布時間:2024-03-11 / 8人氣

                    • InP-<em>GaAs</em>、<em>GaAs</em>-Si、InP-<em>GaAs</em>-Si異質(zhì)外延生長技術及其在集成光電子器件中的應用.pdf128
                    • AlGaAs-<em>GaAs</em>薄膜的基本表征.pdf74

                      AlGaAs-<em>GaAs</em>薄膜的基本表征.pdf AlGaAs-GaAs薄膜的基本表征.pdf(74頁)

                      貴州大學2015屆碩士研究生學位論文ALGAAS/GAAS薄膜的基本表征學科專業(yè)微電子學與固體電子學研究方向低維半導體材料導師丁召(教授)研究生王一中國﹒貴州﹒貴陽2015年5月分類號O793TN3011論文編號2012021051密級公開

                      下載價格:5 賞幣 / 發(fā)布人: 悵忘歸 / 發(fā)布時間:2024-03-09 / 10人氣

                    • <em>GaAs</em>晶體管管芯的研究.pdf65

                      <em>GaAs</em>晶體管管芯的研究.pdf GaAs晶體管管芯的研究.pdf(65頁)

                      隨著國際形勢的日益多變各個國家已經(jīng)把自己的軍用武器列入了各自的保密范疇。晶體管放大器作為微波領域最常見的模塊已被列為重點保密對象。如相控陣雷達收發(fā)前端等大功率微波模塊所用到的晶體管芯片已經(jīng)對我國實施了禁運限制。為了研究出自主創(chuàng)新的放大器模塊我們有...

                      下載價格:5 賞幣 / 發(fā)布人: 無人相候 / 發(fā)布時間:2024-03-08 / 1人氣

                    • n-<em>GaAs</em>中的混沌研究.pdf42

                      n-<em>GaAs</em>中的混沌研究.pdf n-GaAs中的混沌研究.pdf(42頁)

                      NGAAS是一種典型的半導體材料,廣泛地應用于探測器和耿氏效應管等方面,于是NGAAS的混沌研究對相關器件的制備和應用具有理論指導作用。本文首先簡述了混沌的基本知識及混沌控制的主要方法、GAAS的能帶結構及載流子輸運特性。然后,對于直流和交流共同偏置的NGAAS,利...

                      下載價格:5 賞幣 / 發(fā)布人: Strawberry / 發(fā)布時間:2024-03-11 / 9人氣

                    • <em>GaAs</em>毫米波寬帶功率MMIC.pdf83

                      <em>GaAs</em>毫米波寬帶功率MMIC.pdf GaAs毫米波寬帶功率MMIC.pdf(83頁)

                      隨著微波集成電路的發(fā)展更高頻率和帶寬是功率MMIC的主要研究方向GAAS毫米波寬帶功率MMIC具有小型化、輕量化、高可靠性、強抗干擾能力、精確跟蹤和測量能力等特點可廣泛用于電子對抗、雷達制導等武器裝備及民用衛(wèi)星和通訊系統(tǒng)。通過1838GHZ100MW功率單片2040GHZ300MW...

                      下載價格:5 賞幣 / 發(fā)布人: 是我太乖 / 發(fā)布時間:2024-03-10 / 5人氣

                    • <em>GaAs</em>、InP晶片鍵合技術的研究.pdf70

                      <em>GaAs</em>、InP晶片鍵合技術的研究.pdf GaAs、InP晶片鍵合技術的研究.pdf(70頁)

                      論文的主要工作如下1對鍵合技術的歷史、現(xiàn)狀鍵合的方法以及鍵合技術在不同領域內(nèi)的應用進行了系統(tǒng)的總結2由于GAAS、INP晶片表面平整度和潔凈度對晶片的鍵合質(zhì)量以及實現(xiàn)低溫鍵合有著重要的影響所以我們從理論上對平整度和潔凈度的影響進行了總結并通過反復實驗優(yōu)選出...

                      下載價格:5 賞幣 / 發(fā)布人: 笑著帶過 / 發(fā)布時間:2024-03-10 / 11人氣

                    • <em>GaAs</em>微探尖的制備與轉移.pdf48

                      <em>GaAs</em>微探尖的制備與轉移.pdf GaAs微探尖的制備與轉移.pdf(48頁)

                      掃描近場光學顯微鏡SNOM是一種能探測納米尺寸的新型顯微工具。這種顯微鏡利用局限在微小孔徑上的隱失場提供物體表面形貌的細節(jié),其分辨率可突破傳統(tǒng)光學的衍射極限。它的問世不僅會促進物理、化學、生物和材料等學科的研究與發(fā)展,還將引起信息技術和生命科學的變革...

                      下載價格:5 賞幣 / 發(fā)布人: 即興表演 / 發(fā)布時間:2024-03-11 / 6人氣

                    • <em>GaAs</em>-InP、Si-<em>GaAs</em>異質(zhì)外延生長技術及其在集成光電子器件中的應用.pdf74

                      <em>GaAs</em>-InP、Si-<em>GaAs</em>異質(zhì)外延生長技術及其在集成光電子器件中的應用.pdf GaAs-InP、Si-GaAs異質(zhì)外延生長技術及其在集成光電子器件中的應用.pdf(74頁)

                      人類通信需求量的急劇增長是光纖通信系統(tǒng)發(fā)展的潛在驅動力,而新一代光纖通信系統(tǒng)的發(fā)展必然要以新型通信光電子器件作為支撐。當前通信光電子器件正處于由分立轉向集成的重大變革時期,而通信光電子集成器件研究所面臨的最突出問題是半導體材料兼容、結構兼容和工藝...

                      下載價格:5 賞幣 / 發(fā)布人: 朋友 / 發(fā)布時間:2024-03-11 / 12人氣

                    關于我們 - 網(wǎng)站聲明 - 網(wǎng)站地圖 - 資源地圖 - 友情鏈接 - 網(wǎng)站客服客服 - 聯(lián)系我們

                    機械圖紙源碼,實習報告等文檔下載

                    備案號:浙ICP備20018660號