![](https://static.zsdocx.com/FlexPaper/FileRoot/2019-3/11/8/5c94c07c-0741-41c1-8c1f-b85b259c163f/5c94c07c-0741-41c1-8c1f-b85b259c163fpic.jpg)
![光學(xué)浮區(qū)法制備新型高溫超導(dǎo)單晶.pdf_第1頁](https://static.zsdocx.com/FlexPaper/FileRoot/2019-3/11/8/5c94c07c-0741-41c1-8c1f-b85b259c163f/5c94c07c-0741-41c1-8c1f-b85b259c163f1.gif)
版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡介
1、對于高Tc銅氧化物超導(dǎo)體來說,空穴載流子濃度對正常和超導(dǎo)態(tài)性質(zhì)有著非常重要的作用,理解超導(dǎo)與載流子濃度之間的關(guān)系是闡述超導(dǎo)機(jī)理非常重要的一步。大量研究致力于闡述超導(dǎo)轉(zhuǎn)變溫度Tc與二維Cu-O面上氧含量也就是空穴載流子濃度的關(guān)系。在Bi-2212系統(tǒng)中,發(fā)現(xiàn)通過改變載流子濃度,Tc可以在很大的范圍內(nèi)變化。對于Bi-2212體系來說,控制載流子濃度可以通過離子摻雜和氣氛退火改變氧含量及分布來實(shí)現(xiàn)。Bi系的載流子是空穴并且CuO2面的空穴載流
2、子濃度決定晶體的超導(dǎo)轉(zhuǎn)換溫度Tc,而空穴載流子濃度決定于氧含量,因?yàn)槊總€(gè)多余的氧原子會產(chǎn)生兩個(gè)空穴。
大量的實(shí)驗(yàn)表明,Bi-2212單晶的氧含量和分布對其超導(dǎo)性質(zhì)有非常大的影響。論文目的是通過光學(xué)浮區(qū)法制備高質(zhì)量的Bi-2212單晶,光學(xué)浮區(qū)法作為一種單晶制備的方法,可以制備大塊高質(zhì)量的Bi-2212單晶。然后將解理的單晶進(jìn)行退火處理,分為空氣中不同溫度下的退火和相同溫度下不同氧壓下的退火。研究退火對單晶氧含量的影響,由此分析
3、退火對Bi-2212單晶結(jié)構(gòu)和超導(dǎo)性質(zhì)的影響。
首先,將Bi-2212單晶在空氣中不同溫度下退火,退火溫度分別為300℃、400℃、450℃、500℃和600℃。對所有的退火樣品利用XRD、SEM、和電磁輸運(yùn)(ρ-T和M-T)進(jìn)行物性測量。XRD結(jié)果表明單晶為正交晶格結(jié)構(gòu),隨著退火溫度的增加單晶c軸的值減小,也就是氧含量增加。而ρ-T和M-T數(shù)據(jù)結(jié)果表明,超導(dǎo)轉(zhuǎn)變溫度Tc隨著退火溫度增加而減小。這個(gè)結(jié)果表明退火溫度對單晶的氧含
4、量有影響,使得單晶的c軸參數(shù)和超導(dǎo)溫度Tc都發(fā)生改變。
然后,將Bi-2212單晶在450℃進(jìn)行不同氧壓下的退火,退火氧壓分別為10bar和100 bar。對退火后的單晶樣品利用XRD、SEM和電磁輸運(yùn)(ρ-T和M-T)進(jìn)行物性測量。結(jié)果表明高氧壓退火得到過摻雜單晶,單晶的Tc隨著退火氧壓的增加而減小,退火氧壓在很大程度上影響了樣品的超導(dǎo)轉(zhuǎn)換溫度Tc。而XRD數(shù)據(jù)的結(jié)果表明單晶的c軸晶格參數(shù)隨著退火氧壓的增加而變小。Tc和c軸
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 無氟MOD法制備GdBCO高溫超導(dǎo)薄膜研究.pdf
- MOD法制備YBCO高溫超導(dǎo)帶材緩沖層研究.pdf
- 單晶MgO高溫超導(dǎo)基片CMP工藝的研究.pdf
- 低氟MOD法制備YBCO高溫超導(dǎo)帶材研究.pdf
- PLD法制備YBCO高溫超導(dǎo)帶材緩沖層的研究.pdf
- HVPE法制備AlN單晶基板.pdf
- 新型高溫超導(dǎo)材料研究進(jìn)展
- 化學(xué)法制備BSCCO和MgB2新型超導(dǎo)帶.pdf
- YBCO高溫超導(dǎo)薄膜的MOCVD法制備及磁通釘扎的研究.pdf
- 流動液流共沉淀法制備高性能Bi系高溫超導(dǎo)前驅(qū)粉.pdf
- MOD法制備YBCO高溫超導(dǎo)帶材的緩沖層SrTiO3研究.pdf
- 液相源金屬有機(jī)物化學(xué)氣相法制備YBCO高溫超導(dǎo)薄膜.pdf
- 光學(xué)浮區(qū)法GdFeO3晶體的制備及表征.pdf
- YBCO高溫超導(dǎo)材料的制備與表征.pdf
- YBCO高溫超導(dǎo)材料的制備與檢測.pdf
- 電子型高溫超導(dǎo)體單晶生長和低溫物性及新型超導(dǎo)體MgB-,2-和MgCNi-,3-的研究.pdf
- 高溫超導(dǎo)薄膜的制備條件探索——MgO和藍(lán)寶石襯底上制備T1系高溫超導(dǎo)薄膜.pdf
- 無氟化學(xué)溶液法制備YBCO超導(dǎo)薄膜.pdf
- 高溫超導(dǎo)薄膜的制備及相關(guān)特性的研究.pdf
- Y系高溫超導(dǎo)材料的制備與性能表征.pdf
評論
0/150
提交評論