1、孔蝕由于其破壞高度集中、蝕孔分布不均勻、向重力方向發(fā)展、孔口小不易發(fā)現(xiàn)等特點成為不銹鋼腐蝕失效的主要原因之一，因此研究孔蝕的早期行為對于孔蝕的預(yù)測、預(yù)防具有現(xiàn)實意義。本文利用慢速動電位極化掃描、恒電位極化、掃描電鏡等方法研究了Clˉ、表面粗糙度、PO43-和WO42-對亞穩(wěn)態(tài)孔蝕電位Em、穩(wěn)定孔蝕電位Eb、亞穩(wěn)態(tài)孔蝕形核率、亞穩(wěn)態(tài)孔蝕電流峰值及亞穩(wěn)態(tài)孔蝕生長速率K的分布等各電化學(xué)參數(shù)的影響。所得主要結(jié)論如下:
　　 1.在所研究

2、的氯離子濃度范圍內(nèi)，亞穩(wěn)態(tài)孔蝕電位Em和穩(wěn)定孔蝕電位Eb均滿足正態(tài)分布，氯離子濃度增大，Em，Eb值均減小，即促進(jìn)了亞穩(wěn)態(tài)孔蝕和穩(wěn)定孔蝕的形核。氯離子濃度一定時，亞穩(wěn)態(tài)孔蝕電流峰值在不同的范圍內(nèi)均滿足極值分布，且生長速率適中的亞穩(wěn)態(tài)孔蝕生長為穩(wěn)定孔蝕的可能性比較大。
　　 2.在所研究的表面粗糙度范圍內(nèi)，Em和Eb均滿足正態(tài)分布，隨著表面粗糙度的增大，Em，Eb值均減小，同時促進(jìn)了亞穩(wěn)態(tài)孔蝕以及穩(wěn)定孔蝕的形核。表面粗糙度一定時，

3、亞穩(wěn)態(tài)孔蝕電流峰值在不同的范圍內(nèi)均滿足極值分布。觀察孔蝕表面形貌發(fā)現(xiàn)電極表面的蝕孔沿著表面打磨的痕跡生長，說明表面的凹凸結(jié)構(gòu)影響了亞穩(wěn)態(tài)孔蝕的生長及分布。
　　 3.在所研究的磷酸根離子范圍內(nèi)，Em和Eb均滿足正態(tài)分布，且隨著所加入的磷酸根離子濃度的增大，Em，Eb值均增大，即磷酸根離子抑制了亞穩(wěn)態(tài)孔蝕和穩(wěn)定孔蝕的形核。
　　 4.隨著PO43-濃度的增大，Em和Eb值均增大，即PO43-濃度的增大，抑制了亞穩(wěn)態(tài)孔蝕和穩(wěn)

4、定孔蝕的形核。PO43-增加導(dǎo)致亞穩(wěn)態(tài)孔蝕的平均生長速度和電流峰值降低，從而增大了亞穩(wěn)態(tài)孔蝕轉(zhuǎn)化為穩(wěn)定孔蝕的難度，抑制了穩(wěn)定孔蝕形核。但PO43-增加導(dǎo)致孔蝕再鈍化電位Ep降低，使充分發(fā)展的穩(wěn)定蝕孔更難于再鈍化，其原因可能是磷酸鹽膜在小孔孔口的沉淀會促進(jìn)蝕孔生長的穩(wěn)定性。
　　 5.隨著WO42-濃度的增大，Em和Eb值均增大，表明同時抑制了亞穩(wěn)態(tài)孔蝕和穩(wěn)定孔蝕的形核。WO42-增加，亞穩(wěn)態(tài)孔蝕平均生長速度和電流峰值減小，表明亞