1、隨著電子行業(yè)快速發(fā)展，電磁污染的危害無處不在，需制備具有高電磁屏蔽性能的材料。近年來已有很多關(guān)于電磁屏蔽方面復(fù)合材料的研究進(jìn)展，具有碳基納米填料的聚合物復(fù)合材料因質(zhì)輕和優(yōu)異的加工性能占據(jù)優(yōu)勢，石墨烯因其優(yōu)異性能吸引廣泛關(guān)注，但填料含量過高仍是問題，所以三維結(jié)構(gòu)更符合要求。
　　本論文首先用改進(jìn)的水熱法制備了三維石墨烯，采用-80℃冷凍得到定向結(jié)構(gòu)，得到的三維石墨烯具有一定的回彈性。在三維石墨烯的基礎(chǔ)上，通過簡單的浸泡法負(fù)載硝酸鎳和

2、尿素前驅(qū)體，800℃碳熱反應(yīng)將硝酸鎳還原成鎳納米顆粒，成功催化生長碳納米管，證明此法適用于2800℃處理后的三維石墨烯。為了得到小直徑超長碳納米管，本文還探索了超臨界負(fù)載鎳納米顆粒并生長碳納米管的方法，提出了簡單的浸涂法在高溫處理后的三維石墨烯上負(fù)載四氧化三鐵納米顆粒催化劑，750℃成功生長碳納米管，并成功制備了四氧化三鐵@氧化鋁二元催化劑。
　　本論文通過簡單的真空輔助法將雜化材料與環(huán)氧樹脂復(fù)合，得到的材料在填料含量僅為0.39