1、由于科技的持續(xù)發(fā)展和人民生活水平的日益提高，智能手機(jī)等一些便攜式電子產(chǎn)品的功能變得越來(lái)越強(qiáng)大，因此對(duì)充電的要求也越來(lái)越高。由于傳統(tǒng)充電方式的一些局限性，自2007年，磁耦合諧振式無(wú)線電能傳輸技術(shù)被提出。現(xiàn)階段，關(guān)于磁耦合諧振式無(wú)線電能傳輸系統(tǒng)的工作原理、線圈耦合方式，以及傳輸性能等都有大量且較深層的研究。但專(zhuān)門(mén)針對(duì)系統(tǒng)中高頻電源的研究還很少。因此，設(shè)計(jì)一個(gè)可靠的、能滿足磁耦合諧振式無(wú)線電能傳輸?shù)母哳l功率電源是很有必要的，它對(duì)無(wú)線電能傳輸

2、技術(shù)的普及具有積極的推動(dòng)作用。
　　本文首先剖析了磁耦合諧振式無(wú)線群充系統(tǒng)的整體結(jié)構(gòu)，建立了系統(tǒng)等效電路模型，確定了系統(tǒng)中高頻電源的負(fù)載特性。通過(guò)對(duì)比分析A～F類(lèi)功率放大器的基本原理、工作效率以及適用場(chǎng)合等因素，提出了采用E類(lèi)功率放大器來(lái)設(shè)計(jì)此高頻電源的方案。闡述了E類(lèi)功率放大器的設(shè)計(jì)方法，并根據(jù)高頻電源在6.78MHz頻率下輸出25W左右功率的這一設(shè)計(jì)指標(biāo)，完成了E類(lèi)功率放大器以及其阻抗匹配電路的設(shè)計(jì)與仿真。此外，本文還設(shè)計(jì)了相

3、應(yīng)的MOS管驅(qū)動(dòng)電路，并對(duì)整個(gè)高頻電源進(jìn)行了仿真。為進(jìn)一步分析所設(shè)計(jì)高頻電源的阻抗適應(yīng)能力，最后還給出了三種不同負(fù)載下電路的仿真情況。仿真結(jié)果表明，通過(guò)調(diào)節(jié)不同負(fù)載時(shí)輸入直流電壓的大小，可使高頻電源的輸出功率為25W左右，滿足設(shè)計(jì)要求。
　　為了驗(yàn)證理論與仿真的正確性，本文同時(shí)也制作了高頻電源的PCB板，并對(duì)高頻電源進(jìn)行了測(cè)量與調(diào)試。實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析表明，所設(shè)計(jì)的高頻電源在6.8MHz頻率下，能滿足5Ω～50Ω負(fù)載變化時(shí)輸出25W左右