1、隨著社會(huì)的發(fā)展，人們接觸到的信息越來(lái)越多，需要儲(chǔ)存的信息當(dāng)然也隨之增多。而信息的儲(chǔ)存離不開(kāi)儲(chǔ)存器，目前我們使用的主流的儲(chǔ)存器是閃存，閃存作為一種非易失性的儲(chǔ)存器，相比于最初的易失性儲(chǔ)存器有著太多的優(yōu)點(diǎn)，這為我們的日常生活帶來(lái)了很大的便利，我們現(xiàn)在使用的手機(jī)和電腦所使用的儲(chǔ)存器幾乎都是閃存。隨著人們對(duì)信息儲(chǔ)存的要求越來(lái)越高，閃存的單個(gè)元器件的尺寸逐漸在減小，不過(guò)受限于目前制造工藝和基礎(chǔ)理論，閃存正面臨著極大的挑戰(zhàn)，因?yàn)楫?dāng)其單個(gè)元器件的大小

2、減小到量子尺度時(shí)，強(qiáng)烈的量子效應(yīng)就會(huì)干擾信息的儲(chǔ)存，使得儲(chǔ)存的信息變得不穩(wěn)定，在這樣的一個(gè)前提下，我們就需要找到另一種新型的儲(chǔ)存器來(lái)代替閃存，這種新型的儲(chǔ)存器需要是非易失性的，并且還應(yīng)該具有儲(chǔ)存密度高、讀寫(xiě)速度快、功耗低、廉價(jià)等優(yōu)點(diǎn)，只有這樣才有可能成為下一代通用儲(chǔ)存器件。目前在磁儲(chǔ)存器、鐵電儲(chǔ)存器、相變儲(chǔ)存器、阻變儲(chǔ)存器這幾個(gè)候選者中，科研人員對(duì)阻變儲(chǔ)存器抱有最大的期望，認(rèn)為它最可能成為下一代通用儲(chǔ)存器件。阻變儲(chǔ)存器是基于電阻開(kāi)關(guān)效應(yīng)

3、的一個(gè)新型儲(chǔ)存器，電阻開(kāi)關(guān)是目前物理學(xué)的研究熱點(diǎn)之一，它是指一些材料的電阻能夠在外加電壓的作用下能夠在不同的電阻態(tài)之間可逆的轉(zhuǎn)化。本文就是在這樣的基礎(chǔ)之上研究了BaTiO3/CoFeB/BaTiO3三層膜的電阻開(kāi)關(guān)特性，主要內(nèi)容如下：
　?。?）簡(jiǎn)單的介紹了BaTiO3這種常見(jiàn)的鈣鈦礦型氧化物和CoFeB合金的一些基本性質(zhì)，分析了幾種新型隨機(jī)儲(chǔ)存器件的原理以及優(yōu)缺點(diǎn)。
　?。?）較詳細(xì)的解釋了電阻開(kāi)關(guān)效應(yīng)，包括電阻開(kāi)關(guān)的分類

4、、電阻開(kāi)關(guān)的電流傳導(dǎo)機(jī)制、電阻開(kāi)關(guān)的幾種機(jī)理解釋等。
　?。?）介紹了分子束外延、激光脈沖沉積、溶膠-凝膠法、水熱合成法與磁控濺射這幾種制膜方法，并且交代了幾種薄膜表征技術(shù)和其使用儀器的基本原理
　?。?）簡(jiǎn)述了主要實(shí)驗(yàn)過(guò)程，并且展示了樣品制備完成后的幾項(xiàng)重要參數(shù)的表征結(jié)果
　?。?）詳細(xì)的介紹了樣品電阻開(kāi)關(guān)測(cè)量的結(jié)果，分析了不同外界條件對(duì)樣品電阻開(kāi)關(guān)特性的影響，最后對(duì)樣品的電阻開(kāi)關(guān)效應(yīng)作出了合理解釋。
　　研究

5、結(jié)果表面我們所制備的BaTiO3/CoFeB/BaTiO3三層膜中具有微弱的電阻開(kāi)關(guān)效應(yīng)，但是其電阻開(kāi)關(guān)效應(yīng)在光照條件下會(huì)得到極大的加強(qiáng)，樣品電阻開(kāi)關(guān)效應(yīng)的Set電壓隨著外界光照強(qiáng)度的增加而減小，而高低組態(tài)阻值比則隨著光照強(qiáng)度的增加而增加。樣品的電阻開(kāi)關(guān)特性具有良好的溫定性，在光照條件下，其I-V曲線在70個(gè)完整的循環(huán)中并沒(méi)有明顯的衰減。I-V曲線的擬合結(jié)果表明，在低阻態(tài)時(shí)，樣品中的電流傳導(dǎo)機(jī)制為普爾-弗蘭克發(fā)射機(jī)制，而高阻態(tài)時(shí)為空間電