1、本文在鍍金的氧化鋁模板表面，利用直流電沉積技術(shù)，制備了一系列的可轉(zhuǎn)移的納米孔陣列薄膜。在此基礎(chǔ)上，結(jié)合材料自身的特性，構(gòu)筑了一系列的以多孔薄膜為基礎(chǔ)的納米器件，并對(duì)它們?cè)诓煌娀瘜W(xué)領(lǐng)域下的特性進(jìn)行了研究。研究結(jié)果表明基于此方法構(gòu)筑的多孔薄膜器件在納米科技中有著潛在的應(yīng)用前景。本論文的具體研究內(nèi)容如下：
　?。?）采用二次陽極氧化技術(shù)，在0.3mol/L草酸50V電壓條件下，制備了高度有序的AAO模板。模板的孔間距約為120nm，孔

2、徑約為70nm。進(jìn)而在制備的AAO模板表面濺射一層厚度約為30nm的Au作為導(dǎo)電電極，利用電沉積技術(shù)以及隨后的退火氧化過程制備了Fe2O3/Au納米孔陣列薄膜。隨后用堿性溶液將作為基底支撐的氧化鋁模板完全去除干凈，利用漂浮-轉(zhuǎn)移技術(shù)將Fe2O3/Au薄膜轉(zhuǎn)移到了ITO表面，構(gòu)筑了基于Fe2O3/Au的無酶型抗壞血酸傳感器電極。SEM圖片表明，薄膜的孔洞按規(guī)則的六角密排順序排列，孔間距約為120nm，孔徑約為50nm，且沿著孔洞的方向，薄

3、膜呈現(xiàn)出不平整的山巒起伏結(jié)構(gòu)，這使得薄膜表面非常的粗糙和疏松。XRD、TEM、SAED分析技術(shù)均表明，F(xiàn)e2O3/Au為多晶結(jié)構(gòu)。Fe2O3/Au薄膜對(duì)抗壞血酸的探測(cè)表現(xiàn)出優(yōu)異的電化學(xué)催化特性：靈敏度高達(dá)1281.9μAmM-1cm-2，線性范圍為25μMto10mM，探測(cè)極限為1μM。該實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，此傳感器是一種非常優(yōu)異的探測(cè)AA的器件。
　?。?）以氧化鋁模板為基礎(chǔ)，利用直流電沉積技術(shù)制備了PtFe/Au納米孔陣列薄膜。用堿

4、性溶液將氧化鋁去除后，利用漂浮-轉(zhuǎn)移的技術(shù)將PtFe/Au納米孔陣列薄膜轉(zhuǎn)移到了ITO表面，構(gòu)筑了基于PtFe/Au的甲醇催化劑電極。堿性環(huán)境中的電化學(xué)測(cè)試表明，PtFe/Au納米孔陣列薄膜對(duì)甲醇催化表現(xiàn)出較高的電流密度（59.0mA/cm2），明顯優(yōu)于PtFe/Au平面薄膜（2.87mA/cm-2）和Pt/Au納米孔陣列薄膜（10.9mA/cm-2）的甲醇催化活性，有力的證明了PtFe合金化和納米孔結(jié)構(gòu)對(duì)材料催化性能的重要性。

5、　?。?）以氧化鋁模板為基礎(chǔ)，利用直流電沉積技術(shù)以及隨后的退火氧化過程制備了NiO/Au納米孔陣列薄膜。用堿性溶液將作為基底支撐的氧化鋁模板去除后，利用漂浮-轉(zhuǎn)移技術(shù)將NiO/Au納米孔陣列薄膜轉(zhuǎn)移到了ITO表面，構(gòu)筑了基于NiO/Au的電化學(xué)電容器。堿性環(huán)境中的電化學(xué)測(cè)試表明，NiO/Au薄膜是一種非常優(yōu)異的電化學(xué)電容器，充電電流為0.02mA時(shí)，體積比電容高達(dá)8.8×102F/cm3；經(jīng)過一百次的循環(huán)充放電之后，電容的放電時(shí)間基本保