1、理想的單層石墨烯室溫下高達(dá)15000 cm2 V?1 s?1的電子遷移率，受到了器件制備領(lǐng)域?qū)W者的廣泛關(guān)注。但是，在生長(zhǎng)、轉(zhuǎn)移和測(cè)試的過程中非理想因素介入，導(dǎo)致所制備的石墨烯實(shí)際遷移率與理想值相距甚遠(yuǎn)。本文通過對(duì)生長(zhǎng)、轉(zhuǎn)移及摻雜等工藝的優(yōu)化，使得石墨烯遷移率得到一定提高。
　　本文首先研究了CVD石墨烯的制備。采用雙重拋光預(yù)處理工藝對(duì)Cu襯底的表面狀態(tài)進(jìn)行處理，提高了Cu襯底表面的平整度。同時(shí)通過對(duì)生長(zhǎng)過程中氣體組分變化分析，發(fā)現(xiàn)

2、隨著氫氣和甲烷比例增加，石墨烯單晶的形狀由邊緣很多枝丫的六角雪花狀向邊緣為直邊的六角形過渡。研究表明，襯底表面越平整，石墨烯單晶的邊緣越平滑越有利于大面積高質(zhì)量石墨烯的形成。
　　其次，對(duì)PMMA旋涂轉(zhuǎn)速、PMMA濃度、腐蝕液種類、腐蝕液濃度等工藝進(jìn)行了優(yōu)化。實(shí)驗(yàn)表明，當(dāng)PMMA濃度為40g/l，三氯化鐵濃度為200g/l,旋涂 PMMA的轉(zhuǎn)速為2500r時(shí)，為最佳轉(zhuǎn)移條件。并通過對(duì)轉(zhuǎn)移后石墨烯進(jìn)行NaOH溶液浸泡處理，使得轉(zhuǎn)移后