1、一維納米材料具有獨特的光學、電學、磁學性質(zhì)，是一種理想的能量傳輸材料，可以傳輸電子、光子等粒子，促進了其在尖端技術(shù)領(lǐng)域的應(yīng)用。近年來，一維納米材料的合成方法和制備技術(shù)已經(jīng)有了突飛猛進的發(fā)展。其中，一維納米材料在信息、能源、環(huán)境和軍事等方面已經(jīng)產(chǎn)生了深遠的影響。隨著器件的微型化，探索未來納米電子學之間的互連是一個必然趨勢。此外，一維納米結(jié)構(gòu)的形貌演變對于理解晶體的生長機制和動力學方面被認為是理想的研究對象。因此，研究可以應(yīng)用在納米領(lǐng)域的一

2、維納米材料有著十分重要的理論價值和現(xiàn)實意義。
　　過渡金屬氧族化合物是氧族元素 O、S、Se、Te等與各種過渡金屬形成的化合物，是一類非常重要的材料，在新型功能材料領(lǐng)域有著非常重要的地位。由于過渡金屬氧族化合物納米材料在磁學、電子學及光學等方面的優(yōu)異性質(zhì)，使其在電子納米器件的制備、鋰離子電池電極材料、光電轉(zhuǎn)換、光催化以及傳感器等領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用前景。隨著人們對過渡金屬氧族化合物材料的深入認識和近一步研究，將不斷地推動著人們對納米材

3、料的開發(fā)和利用，從而推動人類社會更加快速的發(fā)展。
　　本文以兩種典型的過渡金屬氧族化合物，即以單斜晶相的碲化銀(Ag2Te)與黑錳礦相的鉻摻雜四氧化三錳(Mn3-xCrxO4)為研究對象，釆用水熱法和化學氣相沉積的方法，通過合理地設(shè)計實驗的反應(yīng)體系，優(yōu)化實驗的反應(yīng)條件，制備出尺寸和形貌可控、結(jié)晶性良好的Ag2Te和Mn3-xCrxO4的一維納米材料，研究了產(chǎn)物的相關(guān)磁學性能，如磁致電阻、鐵磁性等，并通過金屬離子摻雜的手段對材料的性

4、能進行改善。本論文的主要研究內(nèi)容包括以下兩個主要方面：
　　第一，首先選擇碲化銀(Ag2Te)為主要研究對象，利用簡單的水熱法，通過對反應(yīng)時間以及所選擇的表面活性劑的種類等的探討，從而來調(diào)節(jié)樣品的形貌結(jié)構(gòu)以及尺寸大小。通過水熱還原亞碲酸鈉(Na2TeO3)的混合溶液的方法，制備出了具有形貌和尺寸可控的一維單晶Ag2Te納米材料。其中，一維Ag2Te納米結(jié)構(gòu)的形貌演變主要是通過適當?shù)乜刂撇煌磻?yīng)時間，來調(diào)節(jié)成核和生長過程實現(xiàn)的。在透

5、射電子顯微鏡(TEM)和掃描電子顯微鏡(SEM)對樣品進行研究和分析的基礎(chǔ)上，系統(tǒng)研究了Ag2Te的生長過程，并對這些產(chǎn)物的生長機理進行了合理的解釋。此外，我們還研究了Ag2Te納米線的磁致電阻行為。研究發(fā)現(xiàn)，相比于塊體和薄膜材料，由于樣品尺寸的減小，納米線的R(T)發(fā)生了一個較大的變化，對外界磁場反應(yīng)更加靈敏，這表明該樣品的尺寸對磁致電阻有一定的影響。同時，文中還探討了觀察到的巨磁電阻現(xiàn)象形成的原因。
　　2.采用化學氣相沉積的

6、方法，成功合成了Cr摻雜Mn3O4納米線。通過調(diào)節(jié)反應(yīng)原料的比例，制備了具有不同摻雜濃度的Mn3-xCrxO4納米線(10％，15%，20%)，并對納米線進行了詳細的研究與分析。在此基礎(chǔ)上，我們測試了具有不同摻雜濃度的Mn3-xCrxO4納米線的磁性。實驗結(jié)果表明，摻雜劑Cr是以Cr3+離子的形式替代了Mn3O4的Mn3+，同時摻雜也使樣品中的氧缺陷增加，從而導(dǎo)致了有效磁矩的增加。室溫磁滯回線測試表明樣品實現(xiàn)了從順磁性向鐵磁性的變化?；?/p>