1、現(xiàn)代電子技術(shù)的發(fā)展，對(duì)嵌入式電容器提出了更高的要求。介電常數(shù)高、介電損耗低、加工性能良好的介電材料是制備高性能嵌入式電容器的核心。傳統(tǒng)的鐵電陶瓷/聚合物基復(fù)合材料由于填料含量過高而導(dǎo)致機(jī)械性能差，嚴(yán)重影響了其在嵌入式電容器制備方面的應(yīng)用。所以，開發(fā)一種兼具優(yōu)異介電性能和機(jī)械性能的聚合物基介電功能復(fù)合材料成為了工程電介質(zhì)材料領(lǐng)域亟待解決的關(guān)鍵問題之一。
　　本論文首先采用乙二醇還原法，通過控制反應(yīng)條件分別制備了一維棒狀納米 Ag和三

2、維立方體狀納米 Ag，采用 SEM、XRD及 TEM對(duì)不同維度納米 Ag粒子進(jìn)行了表征和分析。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，制得的一維棒狀納米 Ag粒徑均勻，其截面為五邊形，平均長(zhǎng)度大于8μm，平均直徑約270 nm，長(zhǎng)徑比大于30；三維立方體狀納米Ag平均粒徑約為310 nm。生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)分析表明，一維棒狀納米Ag由正十面體Ag晶種生長(zhǎng)得到，而立方體狀納米Ag由Ag單晶晶種生長(zhǎng)得到。
　　在此基礎(chǔ)上，采用原位聚合法將不同形貌的納米 Ag顆粒添加到

3、聚酰胺酸（PAA）中，經(jīng)熱亞胺化制備出一系列質(zhì)量分?jǐn)?shù)不同的納米 Ag/PI復(fù)合薄膜。對(duì)Ag/PI復(fù)合薄膜的微觀結(jié)構(gòu)、力學(xué)性能、熱性能及電性能進(jìn)行了分析和表征。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，一維棒狀納米 Ag在PI基體中分散均勻，當(dāng)納米Ag質(zhì)量分?jǐn)?shù)為6％時(shí)，復(fù)合薄膜的拉伸模量為2.15 GPa，拉伸強(qiáng)度為110.25 MPa，斷裂伸長(zhǎng)率為17.55％；熱失重分析結(jié)果表明，納米Ag粒子的引入幾乎不影響復(fù)合薄膜的熱穩(wěn)定性；寬頻介電譜測(cè)試結(jié)果表明：一維棒狀納米

4、 Ag的加入顯著提高了Ag/PI復(fù)合薄膜的介電常數(shù)。同時(shí)在頻率低于105 Hz時(shí)，納米 Ag棒的加入不會(huì)帶來復(fù)合薄膜介電損耗的增加。在低頻區(qū)，復(fù)合薄膜的交流電導(dǎo)率隨著一維棒狀納米 Ag質(zhì)量分?jǐn)?shù)的增加呈現(xiàn)微小增加的趨勢(shì)；隨著測(cè)試頻率的增加，復(fù)合薄膜的交流電導(dǎo)率迅速增大。對(duì)立方體 Ag/PI復(fù)合薄膜的微結(jié)構(gòu)及性能分析結(jié)果表明，三維立方體狀納米 Ag與 PI基體的相容性良好，Ag粒子在PI中沒有發(fā)生團(tuán)聚現(xiàn)象；力學(xué)性能測(cè)試結(jié)果表明，隨著納米 A

5、g粒子的引入，復(fù)合薄膜的力學(xué)性能稍有下降，這可能是由于立方體狀納米 Ag粒子對(duì)PI基體部分有序排列的分子結(jié)構(gòu)產(chǎn)生了一定破壞，降低了PI分子鏈的排列密度，從而降低了復(fù)合薄膜的拉伸強(qiáng)度。當(dāng)三維立方體狀納米Ag質(zhì)量分?jǐn)?shù)低于8％時(shí)，Ag/PI復(fù)合薄膜的電擊穿場(chǎng)強(qiáng)介于72.56~160.21 kV/mm之間，Ag/PI復(fù)合薄膜體積電阻率介于1.39×109~5.72×109Ω·m之間。由于界面極化響應(yīng)，三維立方體狀納米Ag的引入提高了Ag/PI復(fù)