1、數(shù)字存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)屬于新興的高科技產(chǎn)業(yè)。以高密度存儲(chǔ)技術(shù)為代表，Nand Flash技術(shù)的高速發(fā)展已經(jīng)引起了產(chǎn)業(yè)內(nèi)的多輪革命性更新?lián)Q代。基于其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、讀寫(xiě)速度快、穩(wěn)定性高、能耗低等一系列優(yōu)點(diǎn)，Nand Flash技術(shù)以絕對(duì)的優(yōu)勢(shì)迅速得到普及并成為存儲(chǔ)領(lǐng)域的應(yīng)用主流。
　　隨著制造工藝的不斷升級(jí)，原始的單層單元(Single Level Cell, SLC)存儲(chǔ)技術(shù)已逐漸發(fā)展到存儲(chǔ)密度更大的多層單元(Multi-Level Cell,M

2、LC)存儲(chǔ)技術(shù)。近幾年，Nand Flash的存儲(chǔ)密度擴(kuò)展了2倍以上。然而存儲(chǔ)密度的增加也帶來(lái)了新的挑戰(zhàn)，即錯(cuò)誤概率顯著增加。隨著誤碼率的成倍上升，BCH和RS碼越來(lái)越難以滿(mǎn)足Nand Flash對(duì)差錯(cuò)控制技術(shù)的要求。因此，急需尋找一種糾錯(cuò)能力更加強(qiáng)大的糾錯(cuò)碼。低密度奇偶校驗(yàn)(Low Density Parity Check,LDPC)碼有接近香農(nóng)容限的優(yōu)良特性，可以應(yīng)用于Nand Flash差錯(cuò)控制領(lǐng)域。
　　目前，已經(jīng)有學(xué)者對(duì)

3、用于Nand Flash糾錯(cuò)的二元LDPC碼進(jìn)行了研究。但一般情況下，適用于Nand Flash糾錯(cuò)的二元LDPC碼通常很長(zhǎng)，并且糾錯(cuò)性能也沒(méi)有多元LDPC碼優(yōu)越。多元LDPC碼有很多優(yōu)點(diǎn)，但其編碼、譯碼復(fù)雜度相對(duì)較高，因此，尋找可快速編碼的編碼算法和譯碼性能好且復(fù)雜度較低的譯碼算法尤為重要。本文重點(diǎn)對(duì)多元LDPC碼字的編碼、譯碼算法展開(kāi)深入研究，并構(gòu)造出一類(lèi)適用于MLC Nand Flash差錯(cuò)控制技術(shù)的多元LDPC碼字。本文組織結(jié)構(gòu)

4、如下：首先，簡(jiǎn)要介紹MLC Nand Flash的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)和基本操作；然后闡述了LDPC碼的相關(guān)理論知識(shí)，重點(diǎn)研究多元LDPC碼編碼、譯碼理論，并采用一種無(wú)四環(huán)且可快速編碼的碼字構(gòu)造方法構(gòu)造出一系列適用于MLC Nand Flash糾錯(cuò)的高碼率且可快速編碼的多元準(zhǔn)循環(huán)LDPC(Quasi-Cyclic LDPC,QC LDPC)碼字；接著提出一種新的譯碼算法，即基于平均幅度和停止準(zhǔn)則的加權(quán)符號(hào)翻轉(zhuǎn)(Average Probability