聚酰亞胺基碳膜的制備及其性能研究.pdf_第1頁(yè)
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1、隨著科學(xué)技術(shù)的不斷發(fā)展,散熱問題成為許多領(lǐng)域遇到的一個(gè)共同難題。將聚酰亞胺(PI)薄膜碳化和石墨化制備的石墨膜具有優(yōu)異的導(dǎo)熱性,已成為散熱解決方案中備受青睞的材料。
  本論文主要目的是制備具有較高結(jié)構(gòu)有序性和優(yōu)良導(dǎo)電性的PI基碳膜,為進(jìn)一步制備高導(dǎo)熱性石墨膜奠定前期基礎(chǔ)。性能優(yōu)異的聚酰亞胺薄膜是制備聚酰亞胺基碳膜和石墨膜的重要因素,本文研究的重點(diǎn)偏向聚酰亞胺薄膜的制備。
  首先研究了碳化溫度對(duì)PI基碳膜結(jié)構(gòu)和性能的影響,

2、然后從配方設(shè)計(jì)、引入部分交聯(lián)結(jié)構(gòu)、摻雜石墨烯制備復(fù)合膜以及用流延拉伸法制膜等方面入手,研究制備PI薄膜的不同方法對(duì)PI基碳膜結(jié)構(gòu)和性能的影響。并選擇部分PI基碳膜進(jìn)行石墨化的初步探索。本文主要通過(guò)XRD、拉曼光譜、SEM、導(dǎo)電性測(cè)試等來(lái)表征碳膜及部分石墨膜的形貌結(jié)構(gòu)和性能。
  研究表明:碳化溫度在700℃~1000℃時(shí),隨著碳化溫度的升高,所形成碳膜的內(nèi)部結(jié)構(gòu)有序性提高,碳膜的二維碳層結(jié)構(gòu)變得明顯,表面電導(dǎo)率升高。另外碳化時(shí)間的

3、適當(dāng)延長(zhǎng),也有利于制備碳膜導(dǎo)電性的提高;對(duì)于BPDA-ODA-PDA型三元共聚聚酰亞胺,隨著原料中PDA比例的增加,即PI原膜的剛性增加,碳膜的碳結(jié)構(gòu)有序性增加,碳層致密性也更好,碳膜的表面導(dǎo)電性也有微弱的提高;引入TAB制備局部交聯(lián)型的PI薄膜,所燒結(jié)的碳膜具有更高的有序性結(jié)構(gòu),二維碳層結(jié)構(gòu)更加規(guī)整,碳層之間更加緊密,碳膜的導(dǎo)電、導(dǎo)熱性也更高;單軸熱拉伸對(duì)PI基碳膜有一定的影響。整體而言,隨著PI薄膜拉伸率的提高,碳膜的內(nèi)部結(jié)構(gòu)有序度

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