1、新器件、新材料和新工藝不斷推動著集成電路按照摩爾定律快速發(fā)展。越來越高的集成度，越來越小的特征尺寸和越來越大的晶圓面積對超精密加工技術(shù)提出了更高的挑戰(zhàn)?；瘜W機械平坦化（chemical mechanical planarization，簡稱CMP）作為目前應(yīng)用最廣泛的全局平坦化方法一直是研究的熱點。拋光液是整個CMP工藝中最主要的耗材，其性能的好壞直接決定著整個晶圓的全局平坦化效果。
　　河北工業(yè)大學微電子研究所自主研發(fā)的FA/O

2、系列銅布線堿性拋光液在不加BTA的基礎(chǔ)上，得到了很好的平坦化效果。能夠有效解決碟形坑、腐蝕坑和表面粗糙度大的技術(shù)難題，并且對設(shè)備的腐蝕性弱，環(huán)保性好，具有非常好的產(chǎn)業(yè)化前景。然而該系列堿性拋光液也存在著所有拋光液都存在的共性問題，即穩(wěn)定性差。FA/O系列銅布線堿性拋光液的穩(wěn)定性主要包含兩個方面：（1）一方面是拋光液原液的穩(wěn)定性，原液指的是沒有經(jīng)過稀釋和加入氧化劑的拋光液，各組分濃度較高，使用時需要用大量去離子水稀釋。（2）另一方面是拋光

3、液使用液的穩(wěn)定性，使用液指的是經(jīng)過稀釋和加入氧化劑之后直接用來使用的拋光液。穩(wěn)定性問題得不到解決，拋光液無法實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。
　　針對堿性拋光液穩(wěn)定性問題，本文主要做了以下研究：（1）首先，分析了原液的不穩(wěn)定機理。通過單因素實驗研究了螯合劑濃度、活性劑濃度、SiO2磨料濃度及配置工藝對原液穩(wěn)定性的影響。（2）然后，分析了使用液的不穩(wěn)定機理。通過正交實驗研究了H2O2氧化劑濃度、螯合劑濃度對使用液穩(wěn)定性的影響。（3）另外，分析了H2O2