1、硫化物半導(dǎo)體材料通常具有可見(jiàn)光和短波近紅外區(qū)域的吸收能力，是一種具有潛在應(yīng)用價(jià)值的可見(jiàn)光響應(yīng)半導(dǎo)體光催化劑，然而也面臨著一些問(wèn)題如穩(wěn)定性差,本身容易發(fā)生光腐蝕等，從而限制了該類(lèi)光催化材料的實(shí)際應(yīng)用。類(lèi)石墨納米氮化碳（g-C3N4）是一種新型的半導(dǎo)體材料，具有原料廉價(jià)豐富、無(wú)毒環(huán)保、穩(wěn)定性好等優(yōu)勢(shì)，但存在光生電子-空穴易復(fù)合、光催化過(guò)程量子效率低等缺點(diǎn)。為了彌補(bǔ)硫化物、g-C3N4各自的不足，研發(fā)出新型、高效的可見(jiàn)光響應(yīng)光催化材料，本論文

2、以多孔g-C3N4材料為母體，在其表面組裝CdIn2S4、ZnS、ZnIn2S4等客體光催化材料，構(gòu)筑了三種硫化物/g-C3N4復(fù)合光催化材料體系，采用多種分析測(cè)試方法對(duì)復(fù)合材料進(jìn)行了表征，并對(duì)它們的光催化性能進(jìn)行了研究，進(jìn)一步探討了光催化機(jī)理。具體研究結(jié)果如下：
　　1.通過(guò)水熱法合成了不同比例的CdIn2S4/g-C3N4復(fù)合光催化材料，采用XRD、TEM、XPS、UV-Vis DRS等方法對(duì)制備的復(fù)合材料進(jìn)行了表征，結(jié)果表明

3、，CdIn2S4與g-C3N4成功復(fù)合，并形成了二維界面。通過(guò)可見(jiàn)光降解甲基橙（MO）的實(shí)驗(yàn)考察了復(fù)合材料的可見(jiàn)光催化活性，實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示，30％CdIn2S4/g-C3N4復(fù)合材料在100 min時(shí)降解10 mg/L的MO可達(dá)90%，遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于單純CN的降解效率，并有良好的穩(wěn)定性。CdIn2S4/g-C3N4復(fù)合材料光催化機(jī)理的探討發(fā)現(xiàn)，在光解染料的過(guò)程中，起主要作用的是空穴和超氧自由基。
　　2.通過(guò)簡(jiǎn)單的沉淀法制備了不同比例的Z

4、nS/g-C3N4復(fù)合型光催化材料，采用XRD、TEM、UV-Vis DRS、PL等方法對(duì)制備的復(fù)合材料進(jìn)行了表征，結(jié)果表明，ZnS微球成功修飾到g-C3N4納米片的表面，并形成了緊密的接觸面。光催化分解水制氫實(shí)驗(yàn)表明，所制備的所有復(fù)合樣品的產(chǎn)氫活性都明顯優(yōu)于單純的ZnS和g-C3N4，當(dāng)ZnS含量為50%時(shí)產(chǎn)氫效率最優(yōu)，達(dá)到194μmol·h-1·g-1，并具有良好的穩(wěn)定性。ZnS/g-C3N4復(fù)合材料的光催化機(jī)理研究顯示，該復(fù)合材料

5、的光催化活性顯著提高的主要原因是，ZnS和 g-C3N4之間具有協(xié)同作用，從而有助于光生載流子的分離。
　　3.采用水熱法制備了g-C3N4/C/ZnIn2S4三元復(fù)合納米光催化材料，這是首次以納米碳作為電子介質(zhì)構(gòu)建 Z-型光催化體系。通過(guò) XRD、XPS、TEM、FT-IR、PL、BET、UV-Vis DRS等方法對(duì)三元復(fù)合納米材料進(jìn)行了表征，結(jié)果表明，g-C3N4、C、ZnIn2S4三者有效復(fù)合為 ZnIn2S4/C/g-C3