1、半導(dǎo)體納米材料因其獨(dú)特的光電性質(zhì)以及在微電子器件中的潛在應(yīng)用而成為科研工作者研究的熱題。作為典型的II-VI族半導(dǎo)體材料，硫化鎘（Cadmium Sulfide，CdS）和硒化鎘（Cadmium Selenium，CdSe）在可見(jiàn)光波段的發(fā)光二極管、納米激光器和光電探測(cè)器等光電子器件中有重要的應(yīng)用前景。而兩者的固溶體CdSxSe1-x半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)與原二元化合物 CdS和CdSe有很多相似的特點(diǎn)和性質(zhì)，再加上三元化合物帶隙的靈活性更加促

2、進(jìn)了其在光電器件方面的應(yīng)用價(jià)值。本論文的主要內(nèi)容如下：
　　利用化學(xué)氣相沉積法制備了比較純凈且結(jié)晶度較高的CdSxSe1-x納米材料，同時(shí)改變組分x來(lái)調(diào)節(jié)不同的帶隙，以及分析晶格常數(shù)與組分x之間的變化關(guān)系。采用X射線衍射表征了樣品的物相結(jié)構(gòu)和元素組成，通過(guò)場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡觀測(cè)了CdSxSe1-x納米材料的表面形貌，并證實(shí)其VLS生長(zhǎng)機(jī)理，利用高分辨透射電鏡及選區(qū)電子衍射分析所測(cè)材料的晶體結(jié)構(gòu)和生長(zhǎng)方向。
　　采用實(shí)驗(yàn)室自主設(shè)計(jì)