1、閃速存儲(chǔ)器簡(jiǎn)稱(chēng)閃存，作為一種非易失性存儲(chǔ)設(shè)備，為近年來(lái)被廣泛應(yīng)用的一類(lèi)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件。其中 NAND閃速存儲(chǔ)是目前閃速存儲(chǔ)技術(shù)中占主導(dǎo)地位的一種存儲(chǔ)方式，隨著閃存設(shè)備存儲(chǔ)密度的增加和多層單元存儲(chǔ)方式等技術(shù)的使用，閃存設(shè)備中的各類(lèi)噪聲影響也更趨嚴(yán)重，引起了存儲(chǔ)可靠度降低等問(wèn)題。本文將對(duì)NAND閃存的信道特性進(jìn)行討論，包括信息的擦寫(xiě)過(guò)程和涉及到的各類(lèi)噪聲。并根據(jù)這樣的信道特性，設(shè)計(jì)能夠有效消除閃存設(shè)備信息存儲(chǔ)過(guò)程中各類(lèi)噪聲的方案。
　

2、　本文首先介紹了NAND閃存的結(jié)構(gòu)，以及閃存單元編寫(xiě)及擦除的操作機(jī)制等關(guān)鍵知識(shí)，并對(duì)設(shè)備在存儲(chǔ)過(guò)程中受到的各種噪聲干擾進(jìn)行了介紹，隨后根據(jù)以上的基本知識(shí)給出相應(yīng)的信道模型及仿真，并介紹了一些針對(duì)閃存信道的干擾處理方法。
　　針對(duì)單元間干擾產(chǎn)生的原因，提出了一種新的編寫(xiě)方法——交叉編寫(xiě)方法。該方法對(duì)閃存單元按字符線進(jìn)行隔行寫(xiě)入，使得分處于奇偶字符線上的閃存單元受到不同程度的干擾影響，從而可實(shí)現(xiàn)不等錯(cuò)誤保護(hù)。并進(jìn)一步，通過(guò)對(duì)處于奇偶字

3、符線上的閃存單元根據(jù)所受干擾影響大小分別進(jìn)行不同層數(shù)的數(shù)據(jù)寫(xiě)入，提出了一種改進(jìn)的交叉編寫(xiě)方法。仿真結(jié)果表明提出的交叉編寫(xiě)方法相比傳統(tǒng)編寫(xiě)方法性能得到了較大提升。
　　同樣針對(duì)單元間干擾的影響，受到無(wú)線通信中空間調(diào)制技術(shù)的啟發(fā)，提出了兩種NAND閃存單元的空間調(diào)制編寫(xiě)方法，移位編寫(xiě)方法及定位編寫(xiě)方法。首先將輸入數(shù)據(jù)分為位置信息及編寫(xiě)信息兩部分，通過(guò)將閃存單元分成若干個(gè)小區(qū)塊，在每個(gè)小區(qū)塊內(nèi)根據(jù)位置信息來(lái)選取部分閃存單元，在這些選定的

4、閃存單元上再根據(jù)編寫(xiě)信息進(jìn)行數(shù)據(jù)編寫(xiě)。接收端通過(guò)對(duì)這兩部分信息的檢測(cè)來(lái)得到存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。仿真結(jié)果表明當(dāng)編寫(xiě)密度較低時(shí)，定位編寫(xiě)方法的誤碼性能相對(duì)全比特線編寫(xiě)方法更優(yōu)。
　　另外，提出了一種能夠同時(shí)處理單元間干擾、隨機(jī)電報(bào)噪聲和保持過(guò)程噪聲的信號(hào)檢測(cè)方案。在該方案中，采用動(dòng)態(tài)門(mén)限和平衡編碼技術(shù)消除未知分布函數(shù)的保持過(guò)程噪聲的干擾，基于已知的隨機(jī)電報(bào)噪聲和單元間干擾的分布特性利用如后補(bǔ)償技術(shù)等信道處理方法來(lái)降低這部分噪聲影響。相比使用固定