1、基于NiFe薄膜磁電阻各向異性的磁性傳感器,由于其較低的飽和磁場、較高的電阻變化率和較小的退磁場等優(yōu)點,在我們的日常生活中有重要而廣泛的應(yīng)用。NiFe薄膜作為磁性傳感器的主要組成部分有重要的研究意義,本文主要對NiFe薄膜的磁電阻各向異性展開研究與測試。
　　首先,使用磁控濺射法制備了NiFe薄膜并使用四探針法測試了薄膜AMR值。為了優(yōu)化薄膜的制備工藝,論文研究了Ta緩沖層厚度、Ta緩沖層制備溫度、NiFe層厚度、薄膜制備溫度對N

2、iFe薄膜各向異性磁電阻值和磁性能的影響。研究結(jié)果表明:Ta緩沖層厚度對NiFe薄膜的AMR值有較大的影響,薄膜AMR值隨著緩沖層厚度先增加后降低,當厚度為5nm時,薄膜的AMR值達到最大,約為1.95％;Ta緩沖層沉積溫度越高,NiFe薄膜的AMR值也隨著增大;NiFe薄膜的制備溫度的升高有助于得到較大AMR值,當沉積溫度為400℃,薄膜的AMR值達到4.2％的最高值。
　　其次,研究了不同襯底,如Si、SiO2、MgO和Si3

3、N4的粗糙度對NiFe薄膜性能的影響。實驗表明,襯底粗糙度對NiFe薄膜的AMR值和矯頑力有較大的影響,對于同一種襯底,粗糙度過大會導致薄膜AMR值的大幅度下降和薄膜矯頑力的增大,這是不符合磁性傳感器的要求的。在對MgO襯底上NiFe薄膜進行了退火處理之后,NiFe薄膜的AMR值相比于退火前增加了約50％左右。這表明退火處理對NiFe薄膜的AMR值有顯著的提升作用。
　　最后,采用光刻技術(shù)制備了磁場的感應(yīng)單元—Wheatstone