1、在過去幾年中，石墨烯的研究報道廣泛見諸報端。由于其高強度、高電導率、室溫下的高電子遷移率、特殊的量子霍爾效應，使得石墨烯器件在未來有很大的發(fā)展空間，優(yōu)秀的石墨烯器件需要高質(zhì)量的石墨烯，怎樣得到高質(zhì)量的石墨烯是所有研究人員及本文的主題，本文主要針對石墨烯的生長和表征展開相應的工作：
　　1、對采用傳統(tǒng)的CVD方法制備石墨烯的工藝進行了研究。利用Cu箔作為催化劑襯底，進行 CVD生長，生長完成后均勻旋涂 PmmA膠并刻蝕催化劑襯底，進

2、行轉(zhuǎn)移后進行電阻率表征，測得方阻為1422Ω/□。
　　2、在Si/SiO2基底上采用微波等離子體CVD方法直接生產(chǎn)石墨烯進行了創(chuàng)新性的探索研究。首先研究了以Cu作為催化劑時直接生產(chǎn)石墨烯的工藝參數(shù)進行研究，特別地，對甲烷和氫氣流量比、生長溫度、生長時間等核心參數(shù)對石墨烯的質(zhì)量的影響進行了分析，并對工藝參數(shù)進行了優(yōu)化，探索出了較優(yōu)化的生長工藝條件。其次對了以Ni作為催化劑時直接生產(chǎn)石墨烯的工藝參數(shù)進行系統(tǒng)研究，并獲得了最佳生產(chǎn)工藝

3、參數(shù)。最后采用NiCu合金作為催化劑對生長石墨烯進行了工藝探索，獲得了較理解的生長工藝條件。研究結(jié)果表明，采用Ni作為催化劑，可以在較低溫度下生產(chǎn)的高質(zhì)量的石墨烯。
　　3、對采用不同催化劑制備的石墨烯進行了系統(tǒng)的電阻率測試和Raman表征。分析和表征結(jié)果表明：得出Cu催化劑的最佳生長溫度為950℃，CH4流量為25 sccm，H2流量為275 sccm，生長時間為7 min；Ni催化劑時的最佳生長溫度為700℃，CH4流量為10

4、 sccm，H2流量為275 sccm，生長時間為3 min；NiCu催化劑的最佳生產(chǎn)溫度為950℃，CH4流量為25 sccm，H2流量為275 sccm，生長時間為7 min。
　　4、將采用不同催化劑制備的石墨烯進行SEM表征，觀察到表面的形貌平整，斷裂較少，通過TEM及選區(qū)電子衍射圖得出石墨烯的晶格完整，缺陷較少，論證實驗參數(shù)的可行性。在隨后進行石墨烯的光學透過率測試結(jié)果表明：波數(shù)500~4000 cm-1光透過率在95％