1、金屬氧化物半導(dǎo)體薄膜氣敏傳感器因?yàn)槠潇`敏度高、響應(yīng)時間和恢復(fù)時間短、選擇性好以及可以與傳統(tǒng)的CMOS工藝相兼容等優(yōu)點(diǎn)成為下一代甲醛氣敏傳感器的有力競爭者。近年來，p型半導(dǎo)體因?yàn)檫x擇性好、穩(wěn)定性高以及具有一定的催化特性等優(yōu)點(diǎn)引起了研究者的關(guān)注?；谝陨峡紤]，本論文選用p型半導(dǎo)體NiO作為制備甲醛氣敏傳感器的敏感材料，開展關(guān)于NiO薄膜基甲醛氣敏特性及其改性的研究，提升NiO對甲醛氣體的靈敏度。具體的研究內(nèi)容如下：
　?。?）使用射頻

2、磁控濺射法在Si襯底上沉積 NiO薄膜，并且系統(tǒng)的研究了氧分壓、外加偏壓以及薄膜厚度對薄膜晶格結(jié)構(gòu)、表面形貌以及表面分子成鍵的影響。之后在Ti叉指電極上沉積NiO薄膜，制備出甲醛氣敏傳感器，對NiO薄膜的氣敏特性進(jìn)行了研究。結(jié)果表明，具備較小的晶粒尺寸、較大的表面粗糙度以及（111）晶面衍射峰占主導(dǎo)的NiO薄膜對甲醛氣體的靈敏度較高。
　?。?）研究了共濺摻雜的NiO薄膜對甲醛氣敏特性的影響，并對摻雜NiO的結(jié)構(gòu)特性以及甲醛氣敏特

3、性進(jìn)行了表征和測試。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明：Zn摻雜以及Cu摻雜改變了NiO薄膜的晶格結(jié)構(gòu)以及表面晶粒尺寸，未摻雜的NiO薄膜對甲醛氣體的靈敏度為0.08/ppm，摻雜Zn的NiO薄膜對甲醛氣體的靈敏度上升到0.39/ppm。
　　(3)使用ZnO對NiO薄膜進(jìn)行表面修飾，通過改變修飾的ZnO厚度，研究ZnO表面修飾對NiO薄膜甲醛氣敏特性的影響。研究表明，ZnO修飾存在最佳的修飾厚度可以提升NiO薄膜的甲醛氣敏特性，并且修飾的ZnO以及未