1、目前，半導(dǎo)體領(lǐng)域中,已有的半導(dǎo)體材料和技術(shù)的研究已經(jīng)達到了物理臨界點，新的技術(shù)突破迫在眉睫。近年來，在非易失性隨機存取存儲器（NRAM）領(lǐng)域中發(fā)展微納米級的金屬-半導(dǎo)體-金屬（MSM）體系已成為一項非常重要的技術(shù)，并越來越受到各界的關(guān)注。
　　PbS是一種重要的半導(dǎo)體材料，由于其帶隙寬度是0.41eV，并且有較大的激子波爾半徑（18nm），所以PbS有很多優(yōu)良的光學(xué)和電學(xué)性能，被廣泛的應(yīng)用于非線性光學(xué)器件、紅外探測器和顯示器中。本

2、實驗中，我們將 PbS微納米線應(yīng)用到阻變式存儲器和壓阻式存儲器中，并詳細的研究了他們的電阻開關(guān)和存儲特性。
　　首先將單根 PbS微納米線放在塑料基底上，然后用銀漿在兩端焊上電極，接上銅導(dǎo)線，就制得了阻變式存儲器件。壓阻式存儲器件則需另外均勻的覆蓋一層PDMS。實驗中，通過在器件Ag和PbS的界面處退火來研究熱處理對開關(guān)效應(yīng)和存儲效應(yīng)的影響。研究表明，器件未退火時，其表現(xiàn)出一個明顯的對稱式電阻開關(guān)特性，并且I-V曲線有較大的遲滯，

3、這說明器件有很好的非易失性數(shù)據(jù)存儲能力。而器件一端退火時，卻表現(xiàn)出典型的雙極性電阻開關(guān)效應(yīng)，當在器件未退火端加上一個較小的負偏壓時，器件基本不導(dǎo)通。隨著負偏壓的增大，器件電流在閥值電壓（0.3V-0.8V）下會突然增大。另外，當器件兩端都退火時，其表現(xiàn)出類電阻開關(guān)效應(yīng)，并且I-V曲線的遲滯性較小，說明器件的數(shù)據(jù)存儲能力很弱。此外，我們還研究了器件的壓阻開關(guān)和壓阻式存儲性能。當器件被加上一個應(yīng)變?yōu)?0.26％的壓應(yīng)力時，其電阻從17 MΩ