1、近年來，金屬氧化物半導體氣體傳感器由于具有靈敏度高、響應快、制作簡單、使用方便等優(yōu)點已受到廣泛關注。研究表明，通過改變敏感材料的微觀形貌和缺陷可改變傳感器的氣敏性能，為設計高性能氣體傳感器提供了一個有效途徑。納米結(jié)構(gòu)氧化鋅(ZnO)形貌豐富多樣，基于此本文制備了不同形貌結(jié)構(gòu)的ZnO，并制成氣體傳感器，對比研究了材料微觀結(jié)構(gòu)對氣敏性能的影響，并分析其相關氣敏機制。主要結(jié)果如下：
　　首先，采用不同的方法分別制備了不同形貌的ZnO微/

2、納米結(jié)構(gòu)，通過合成方法和參數(shù)調(diào)整實現(xiàn)ZnO納米結(jié)構(gòu)形貌的調(diào)控。利用水熱法，合成了由納米棒組成的花狀ZnO分級結(jié)構(gòu)；采用化學溶液生長法，合成了由納米片組成的ZnO微/納米球；采用兩步溶液生長法，在ITO透明導電玻璃上合成了ZnO納米棒陣列結(jié)構(gòu)，并研究反應過程中氨水滴加量對ZnO納米棒陣列的尺寸和擇優(yōu)取向的影響。
　　其次，采用傳統(tǒng)的旁熱式氣敏元件的工藝制作過程，分別制備了基于商業(yè)ZnO粉體、ZnO納米棒花狀結(jié)構(gòu)、棒狀ZnO、ZnO微

3、/納米球氣敏元件。四種傳感器除商業(yè)ZnO傳感器外，對乙醇均顯示出高的響應和好的選擇性。其中ZnO微/納米球傳感器的酒敏性能最優(yōu)，可能是由于該結(jié)構(gòu)比表面積大、（0001）極性面暴露多以及表面氧空位缺陷濃度高所致。結(jié)果顯示通過改變制備方法和生長條件可控制ZnO的形貌，進而改善ZnO基傳感器的氣敏性能。
　　最后，利用化學溶液生長法制備了ZnO納米棒陣列和ZnO納米棒粉末。在氧化鋁陶瓷管表面分別采用原位生長ZnO納米棒陣列和涂敷ZnO納