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![正面半球型Ag納米粒子對(duì)硅薄膜光吸收效率影響的研究.pdf_第1頁(yè)](https://static.zsdocx.com/FlexPaper/FileRoot/2019-3/14/17/9b4c3ced-343d-4df0-b991-636cef992fd2/9b4c3ced-343d-4df0-b991-636cef992fd21.gif)
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1、如今太陽(yáng)能電池的發(fā)展越來越迅速,如何把太陽(yáng)能電池高效的轉(zhuǎn)換成人類所需能源,是我們?nèi)祟愋枰?shí)驗(yàn)和去嘗試的目標(biāo)。人們?yōu)榱耸咕钟蚬舱駡?chǎng)增大強(qiáng)度,所以人們加入了相應(yīng)的金屬鈉米粒子。這樣加入納米金屬離子就可以產(chǎn)生表面等離子體振蕩,在這種情況下,橫截面增大都是在共振之前,這樣太陽(yáng)能電池內(nèi)部光所走的路徑就增加,有源介質(zhì)的吸收也會(huì)增大,這樣就完成我們最初的目標(biāo)——讓太陽(yáng)能電池對(duì)光的吸收增強(qiáng)。
把半球型的Ag納米粒子放在太陽(yáng)能電池的正面,太
2、陽(yáng)能電池的基底用單晶體硅,用我們學(xué)過的時(shí)域有限差分法的內(nèi)容,對(duì)這樣的結(jié)構(gòu)進(jìn)行模擬實(shí)驗(yàn)的研究,從而研究它的光吸收增益。本篇文章進(jìn)行模擬在其中改變一部分因素觀察其對(duì)增益的影響,如:改變納米粒子直徑、改變周期、改變鈍化層的厚度、光的入射角度。進(jìn)行模擬試驗(yàn)后可以得出,用800納米硅為基地的時(shí)候、100納米作為納米粒子的高度時(shí)候,400納米作為納米粒子的直徑,底面積與正方形面積的反比值在納米粒子的單位周期為0.835時(shí),在這一時(shí)刻可以得到最大的光
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