1、橫向絕緣柵雙極晶體管（Lateral Insulated Gate Bipolar Transistor，LIGBT）是一種將功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管和雙極晶體管兩者優(yōu)點(diǎn)結(jié)合而成的功率器件，同時(shí)具備高輸入阻抗和低導(dǎo)通壓降的特點(diǎn)，因此LIGBT器件被廣泛地應(yīng)用在各種電力電子系統(tǒng)之中。絕緣層上硅（Silicon On Insulator，SOI）材料具有寄生電容小和集成度高的優(yōu)點(diǎn)，本文分析的對(duì)象正是SOI LIGBT器件。SOI LIGBT雙

2、極器件的特點(diǎn)在器件工作在通態(tài)時(shí)通過(guò)電導(dǎo)調(diào)制作用降低導(dǎo)通電阻，但是在關(guān)態(tài)時(shí)，漂移區(qū)中存在的大量過(guò)剩載流子造成雙極功率器件特有的拖尾電流現(xiàn)象，降低了器件的關(guān)斷速度，增大了關(guān)斷損耗。研究人員通常采用陽(yáng)極短路LIGBT結(jié)構(gòu)來(lái)提高器件的關(guān)斷速度，但是導(dǎo)通時(shí)這種結(jié)構(gòu)在從LDMOS模式向LIGBT模式轉(zhuǎn)變的過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生負(fù)阻效應(yīng)。
　　基于對(duì)負(fù)阻效應(yīng)機(jī)理的分析，本文提出了兩種SOI LIGBT新結(jié)構(gòu)，在提高器件的關(guān)斷速度同時(shí)又抑制導(dǎo)通時(shí)的負(fù)阻效應(yīng)

3、。第一種結(jié)構(gòu)是將陽(yáng)極短路SOI LIGBT的N+區(qū)抬高，改變導(dǎo)通時(shí)電子流通的路徑，降低陽(yáng)極P+/n-buffer結(jié)開(kāi)啟所需要的陽(yáng)極電壓，從而使得器件較早的進(jìn)入LIGBT模式，從而到達(dá)抑制負(fù)阻效應(yīng)的目的，同時(shí)陽(yáng)極N+區(qū)依然起到關(guān)斷時(shí)抽取電子，減少關(guān)斷時(shí)間的目的。第二種結(jié)構(gòu)是介質(zhì)隔離和結(jié)隔離相結(jié)合的SOI LIGBT結(jié)構(gòu)，即在陽(yáng)極P+區(qū)和N+區(qū)之間加入絕緣槽，在陽(yáng)極N+下方加入不完全包圍N+的p-buffer區(qū)。這種結(jié)構(gòu)首先在導(dǎo)通時(shí)改變電子