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![微波陶瓷與硅樹脂復(fù)合微波覆銅板的研制與應(yīng)用.pdf_第1頁](https://static.zsdocx.com/FlexPaper/FileRoot/2019-3/14/17/c09a9746-a72c-4f7b-a049-cddf72d1efc0/c09a9746-a72c-4f7b-a049-cddf72d1efc01.gif)
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文檔簡介
1、有機硅樹脂的特殊結(jié)構(gòu)使它兼具無機和有機化合物的特點,是一種具有優(yōu)異綜合性能的樹脂。其具有較低的介電常數(shù)和較低的介質(zhì)損耗因子,同時具有高的耐熱性和低的吸水性,并且在寬廣的溫度和高頻范圍內(nèi)介電性能穩(wěn)定,可用作介電性能好、高頻特性好、耐高溫的印制電路板(PCB)基體樹脂。為了實現(xiàn)更低介電常數(shù)和更低介質(zhì)損耗因子的高速信息傳輸或者實現(xiàn)更高介電常數(shù)和低介質(zhì)損耗因子的小體積微波電路,需要進(jìn)行改性研究獲得優(yōu)良復(fù)合PCB材料。
首先,針對有機硅
2、樹脂力學(xué)強度較差的問題,本論文從成型溫度和壓力等熱壓工藝條件入手,探究了E-1080玻璃纖維增強硅樹脂介質(zhì)復(fù)合板的制備工藝并探討了其介電和力學(xué)等性能。結(jié)果表明,在溫度為160℃,壓力為8MPa下保溫1h,可獲得性能優(yōu)良的介質(zhì)復(fù)合板,其密度為1.38g/cm3,吸水率為0.150%,抗彎強度為156.63MPa,介電常數(shù)為3.05,介質(zhì)損耗因子為0.0134,并且熱壓成型后的介質(zhì)復(fù)合板經(jīng)60℃保溫8h介電性能可進(jìn)一步得到改善。
3、其次,為了進(jìn)一步降低有機硅樹脂的介電常數(shù)和介質(zhì)損耗因子,本論文通過在硅樹脂膠液中共混不同含量的聚苯醚樹脂,研究了聚苯醚共混改性硅樹脂介質(zhì)復(fù)合板的性能。研究發(fā)現(xiàn)在聚苯醚含量達(dá)到15wt%時,可以得到良好的綜合性能:密度為1.37g/cm3、吸水率為0.146%、抗彎強度為190.00MPa、介電常數(shù)為2.88、介質(zhì)損耗因子為0.0072。同時,當(dāng)聚苯醚含量小于15wt%時,聚苯醚可以均勻分散在硅樹脂基體中;而當(dāng)聚苯醚含量大于25wt%時,
4、聚苯醚與硅樹脂相分離嚴(yán)重。根據(jù)經(jīng)驗公式εr=-0.096×exp(X/22.093)+3.073,相關(guān)度R2為0.998和經(jīng)驗公式tanδ=0.009×exp(-X/16.557)+0.005,相關(guān)度R2為0.997,能較好的預(yù)測該工藝下聚苯醚共混改性硅樹脂介質(zhì)復(fù)合材料的介電常數(shù)和介質(zhì)損耗因子。
同時,為了獲得高介電常數(shù)低介質(zhì)損耗因子的介質(zhì)復(fù)合板,本論文采用傳統(tǒng)固相法制備高介微波陶瓷粉體,討論了燒結(jié)溫度對高介微波陶瓷的影響,并
5、通過粉碎、球磨等工藝獲得高介微波陶瓷粉體,表征了其粒徑大小和分布,最后在硅樹脂中填充不同含量的高介微波陶瓷粉體,探討微波陶瓷粉填充改性硅樹脂介質(zhì)復(fù)合板的性能。結(jié)果表明,在燒結(jié)溫度為1250℃×3h時,高介微波陶瓷晶粒大小均勻,致密度高,介電性能優(yōu)異,其介電常數(shù)為101,Q×f值為42900GHz,τf為378ppm/℃;選用燒結(jié)溫度為1250℃×3h的陶瓷經(jīng)粉碎、球磨、除鐵、過篩得到的高介微波陶瓷粉體粒徑分布較窄,D50值為8.77μm
6、。研究發(fā)現(xiàn),隨著高介微波瓷粉填充量的增加,填充改性硅樹脂介質(zhì)復(fù)合板密度、吸水率、介電常數(shù)和介質(zhì)損耗因子逐漸增大,抗彎強度逐漸降低。在高介微波瓷粉填充量為80wt%時,介質(zhì)復(fù)合板的密度為2.45g/cm3,吸水率為0.170%,抗彎強度為94.65MPa,介電常數(shù)為14.07,介質(zhì)損耗因子為0.0147。根據(jù)介電常數(shù)經(jīng)驗公式εr=0.725×exp(X/28.100)+1.853,相關(guān)度R2為0.993和介質(zhì)損耗因子經(jīng)驗公式tanδ=1.
7、013×10-4×X+0.007,相關(guān)度R2為0.988,能夠較好的預(yù)測該工藝下微波陶瓷粉填充改性硅樹脂介質(zhì)復(fù)合板的介電性能。
最后,以自制的高介硅樹脂基微波覆銅板為基板材料,制作微帶天線。探討了微帶天線的頻點、帶寬及回波損耗等性能。結(jié)果表明:通過在硅樹脂中添加68wt%高介微波瓷粉制備得到介電常數(shù)為9.65±0.05,介質(zhì)損耗因子0.0145±0.005的天線基板材料。制備的北斗衛(wèi)星平面微帶天線具有較好的S11性能,實測的帶
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