1、隨著人們對于半導體功率器件性能參數(shù)要求的不斷提高，半導體功率器件不斷朝著高電壓大電流的方向發(fā)展，不斷增加的熱功耗所引發(fā)的結溫升高以及器件相關可靠性能降低等問題逐漸成為制約其發(fā)展應用的障礙。結溫升高不僅會造成半導體功率器件電學參數(shù)的漂移，也會影響器件可靠性，縮短其使用壽命。在電路設計的過程中，為了保證器件工作時的結溫被控制在規(guī)定范圍內(nèi)，將器件封裝熱阻以及外部散熱條件納入考慮就顯得非常重要。因此，半導體功率器件的封裝熱阻是器件生產(chǎn)制造廠商和

2、設計者需要關注的重要參數(shù)。本文綜述了工業(yè)生產(chǎn)中功率器件熱阻的相關測試標準與測試方法，還建立了功率器件的有限元熱分析模型，對其封裝熱阻進行理論研究。
　　一方面，本文依據(jù)JEDEC組織于1995年12月在文件JESD51中提出的熱阻的概念，描述了熱阻測試的基本原理。本文根據(jù)JESD51-1中規(guī)定的基于電學參數(shù)的動態(tài)熱阻測試方法，使用AnaTech Phase11熱分析儀測試了不同封裝不同型號的功率器件的結殼熱阻以及結到環(huán)境的熱阻值。

3、實際測量獲得的大量測試結果表明：首先，結殼熱阻值與管芯的面積有關，管芯面積越大，結殼熱阻值越小；其次，結到環(huán)境的熱阻與封裝主體的體積有關，封裝體體積越大，結到環(huán)境的熱阻值越小；最后，結到環(huán)境的熱阻值與封裝結構有關，塑封料和銅框架的改變對結到環(huán)境的熱阻值均有影響。
　　另一方面，本文利用有限元分析軟件ANSYS對TO-220F封裝形式的功率器件進行了建模和穩(wěn)態(tài)熱分析仿真。以此模型為基礎，本文探究了邊界條件、管芯面積、封裝體尺寸、焊料