1、本文主要對(duì)銅銦鎵硒（Cu(In,Ga)Se2，以下簡(jiǎn)稱CIGS）薄膜太陽(yáng)電池緩沖層硫化鎘（CdS）由實(shí)驗(yàn)室制備向連續(xù)化制備方法進(jìn)行深入研究。主要研究?jī)?nèi)容包括：實(shí)驗(yàn)室小面積制備CdS薄膜及其性能測(cè)試，實(shí)驗(yàn)室大面積制備CdS薄膜工藝探究，連續(xù)化制備CdS薄膜設(shè)備設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)卷對(duì)卷（Roll-to-Roll）連續(xù)化制備CdS薄膜且性能滿足CIGS薄膜太陽(yáng)電池設(shè)計(jì)要求。
　　在實(shí)驗(yàn)室小面積（6cm×2cm）CdS薄膜制備研究方面，本文在醋酸

2、鹽體系下通過(guò)化學(xué)水浴法（Chemical Bath Deposition,CBD）以聚酰亞胺（Polyimide,PI）為襯底制備出均勻致密的 CdS薄膜，著重研究制備過(guò)程中氨水濃度和水浴溫度對(duì)CdS薄膜結(jié)晶質(zhì)量及材料性能的影響。研究結(jié)果表明，實(shí)驗(yàn)室小面積制備CdS薄膜較佳的工藝條件為：1×10-3mol/L的(CH3COO)2Cd，1.3×10-3mol/L的NH3·H2O，0.01mol/L的SC(NH2)2，3×10-3mol/L

3、的CH3COONH4，75℃水浴溫度，沉積時(shí)間為30分鐘。將以此條件反應(yīng)所制得的CdS薄膜應(yīng)用于以PI為襯底的CIGS薄膜太陽(yáng)電池，其光電轉(zhuǎn)換效率達(dá)到11.06％。
　　在實(shí)驗(yàn)室大面積（30cm×30cm）CdS薄膜制備研究方面，本文通過(guò)小面積制備CdS薄膜的工藝條件，結(jié)合大面積CdS薄膜制備過(guò)程中所遇到的問(wèn)題，對(duì)工藝條件進(jìn)行調(diào)整，調(diào)整后氨水濃度和水浴溫度條件為：以5×10-3mol/L的(CH3COO)2Cd、0.05mol/L

4、的SC(NH2)2、1.5×10-2mol/L的CH3COONH4、6.5×10-3mol/L的NH3·H2O，75℃水浴溫度，沉積時(shí)間為10分鐘。將以此條件反應(yīng)所制得的CdS薄膜應(yīng)用于以PI為襯底的CIGS薄膜太陽(yáng)電池，其光電轉(zhuǎn)換效率達(dá)到9.12%。
　　在連續(xù)化制備CdS薄膜的設(shè)備設(shè)計(jì)方面，結(jié)合實(shí)驗(yàn)室大面積制備工藝與經(jīng)驗(yàn)，深入研究由靜止溶液向動(dòng)態(tài)溶液沉積方面的機(jī)理，由此引申到設(shè)備的設(shè)計(jì)和制造。在對(duì)若干設(shè)備的設(shè)計(jì)樣稿進(jìn)行分析并與