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![GIS變電站智能組件抗傳導干擾性能研究.pdf_第1頁](https://static.zsdocx.com/FlexPaper/FileRoot/2019-3/14/17/6d622b5c-7faf-4e55-86a8-25a957f0e688/6d622b5c-7faf-4e55-86a8-25a957f0e6881.gif)
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文檔簡介
1、隨著智能變電站的建設并投入使用,變電站智能組件的電磁兼容性能問題越來越突出。尤其是GIS變電站,其開關操作引起的VFTO傳導干擾十分嚴重,有可能損害智能組件,使二次系統(tǒng)或監(jiān)測系統(tǒng)發(fā)生誤動、誤判,嚴重影響智能組件的安全運行。此外,智能組件在長期的運行過程中,受到電磁環(huán)境、氣候溫度變化、污穢等多種因素的影響,智能組件及其相應的濾波裝置的元器件參數(shù)會因老化等原因不可避免地發(fā)生變化,智能組件的電磁兼容性能下降,給智能組件的安全運行留下隱患。因此
2、,研究GIS智能組件的抗傳導干擾措施,以及智能組件電磁兼容性能的測試方法,及時了解智能組件的電磁兼容性能,預防智能組件的電磁兼容性故障,對GIS的安全運行具有重要意義。
本文針對GIS智能組件的電磁兼容問題開展以下三個方面的研究工作。
其一,分析GIS開關操作產生的VFTO對智能組件的傳導干擾,通過搭建VFTO對智能組件傳導干擾的ATP-EMTP仿真模型,仿真研究了GIS外殼接地阻抗、智能組件的位置以及智能組件外殼的
3、耦合電容等因素對VFTO對傳導干擾的影響。
其二,分析了VFTO傳導干擾抑制措施,分析計算了抑制VFTO傳導干擾的EMI濾波器的頻率特性及插入損耗,并采用ATP-EMTP進行仿真,結果表明該濾波器可以有效的抑制進入智能組件的VFTO傳導干擾。
其三,分析了濾波器、智能組件與外殼耦合電容等參數(shù)變化對VFTO抑制效果的影響;針對智能組件及濾波器元器件參數(shù)在長期運行過程中因老化或其他因素的影響發(fā)生變化,致使其電磁兼容性能下
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