1、TeO2作為寬禁帶的P型半導(dǎo)體材料，對(duì)氧化還原性氣體具有極高的靈敏度，在氣敏傳感方面展現(xiàn)了優(yōu)越的性能。本文在室溫下對(duì)TeO2準(zhǔn)一維納米結(jié)構(gòu)的氣敏性能進(jìn)行了深入的研究。
　　以純凈的Te粉為原料，以鍍有2納米金膜的硅片作為襯底，采用化學(xué)氣相沉積法制備出TeO2準(zhǔn)一維納米結(jié)構(gòu)。采用XRD，SEM表征TeO2準(zhǔn)一維納米結(jié)構(gòu)的相組成以及微觀結(jié)構(gòu)。結(jié)果表明，TeO2納米線具有四方相晶體結(jié)構(gòu)，長度約為幾十微米，直徑約為50～200nm之間。在

2、TeO2納米線的頂端未發(fā)現(xiàn)Au顆粒，表明TeO2納米線按照氣—固機(jī)制進(jìn)行生長。
　　利用金屬絲掩膜法，構(gòu)筑了基于單根TeO2準(zhǔn)一維納米結(jié)構(gòu)的“金屬/TeO2準(zhǔn)一維納米結(jié)構(gòu)/金屬”電阻型氣敏傳感器件。室溫下測試了傳感器件在不同環(huán)境（空氣、真空、H2S）下的電輸運(yùn)性能，探討了氣體吸附對(duì)器件電導(dǎo)率的影響。在大氣中，由于氧分子的吸附，增加了空穴濃度，器件的電導(dǎo)增強(qiáng)，而在強(qiáng)還原性硫化氫氣體中，器件電導(dǎo)減少。同時(shí)發(fā)現(xiàn)器件具有憶阻效應(yīng)，空氣中氧