低功耗隨機(jī)數(shù)發(fā)生器的設(shè)計(jì)研究.pdf_第1頁
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1、近年來,隨著網(wǎng)絡(luò)技術(shù)、信息技術(shù)、微電子技術(shù)的快速發(fā)展進(jìn)步,對(duì)于信息數(shù)據(jù)在傳遞、存儲(chǔ)過程中的安全問題也日益突出。信息安全在硬件領(lǐng)域中最關(guān)鍵的主題就是怎樣設(shè)計(jì)高質(zhì)量的隨機(jī)數(shù)發(fā)生器芯片,而功耗問題是現(xiàn)今芯片設(shè)計(jì)的核心問題,隨機(jī)數(shù)發(fā)生器芯片也不例外。此外,序列的安全性也是判定隨機(jī)數(shù)發(fā)生器優(yōu)劣的重要參考。
  由于功能的特殊性,隨機(jī)數(shù)發(fā)生器對(duì)于時(shí)序的要求相對(duì)沒有其它電路嚴(yán)格。在我們之前流片的一款采用SMIC65nm工藝設(shè)計(jì)的隨機(jī)數(shù)發(fā)生器,只

2、需要2MHz的頻率向外圍電路輸送數(shù)據(jù),但同時(shí)功耗達(dá)到了近10mW。本文針對(duì)這個(gè)問題展開研究,設(shè)計(jì)了一個(gè)適應(yīng)于低速工作同時(shí)功耗非常低的隨機(jī)數(shù)發(fā)生器。速度和功耗的綜合判定指標(biāo):能量延遲積也得到了一定程度的優(yōu)化。
  本設(shè)計(jì)同樣基于SMIC65nm標(biāo)準(zhǔn)工藝,通過降低供電電壓來優(yōu)化功耗,該工藝標(biāo)準(zhǔn)供電電壓是1.2V,設(shè)計(jì)供電電壓0.3V。整個(gè)設(shè)計(jì)是通過全定制的方法來實(shí)現(xiàn)的。首先給出了超低壓下工作的數(shù)字標(biāo)準(zhǔn)單元電路結(jié)構(gòu),分析它們的特性;然后

3、通過單元表征等步驟,生成我們所設(shè)計(jì)的庫(kù)單元的相應(yīng)標(biāo)準(zhǔn)格式文件,配合EDA工具的使用,通過數(shù)字IC的流程完成版圖設(shè)計(jì)。
  采用全定制的方法不僅有助于單元特性的分析,更重要的是其自建庫(kù)方式使得我們的設(shè)計(jì)可以作為IP單元移植,提升了本設(shè)計(jì)的實(shí)用性。版圖設(shè)計(jì)中選取了能夠直接輸入0.3V電壓的IOPAD,并設(shè)計(jì)了與外圍設(shè)備通信用的電平轉(zhuǎn)換電路,進(jìn)一步保障了設(shè)計(jì)的實(shí)用性。
  最后,對(duì)設(shè)計(jì)進(jìn)行仿真測(cè)試,顯示芯片的功耗維持在uW級(jí)別,驗(yàn)

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