1、隨著集成工藝節(jié)點的不斷進步，由設計引起的產品良率下降成為了制約集成電路進一步按摩爾定律發(fā)展的瓶頸。至此，設計與制造環(huán)節(jié)不再相互孤立，信息交互的重要性日益凸顯，可制造性設計(Design For Manufacture，DFM)技術應運而生。其中，冗余金屬填充技術利用無功能性的金屬圖形填充來控制互連層版圖圖形密度，是目前最廣泛采用的優(yōu)化化學機械拋光（Chemical-Mechanical Polishing，CMP）后芯片平坦度的可制造性

2、設計方法。
　　填充冗余金屬一方面由于引入寄生參數惡化了芯片的電學性能，影響了時序和功耗，另一方面，隨著特征尺寸的減小，光刻圖形尺寸已接近曝光系統的理論極限，冗余金屬的存在加劇了的原始版圖光刻圖形畸變，需要引起足夠的重視。
　　本文在45nm的工藝條件下，針對冗余金屬填充引起的光學問題做出研究，并提出優(yōu)化方案。1）對互連線端與線的位置關系建立模型，研究了互連圖形相對位置對光刻畸變的影響。2）針對特殊的T字型、Z字型、線端結構

3、，分別設計了冗余金屬預填充方案，修復原始版圖中已存在的光刻熱點。3）設計了靈活、高效的光刻友好型冗余金屬填充流程，并應用到設計實例中，減少冗余金屬引入的新光刻熱點，實現了光刻與CMP后平坦度的平衡。
　　研究結果表明，利用本文設計的光刻友好型冗余金屬填充流程，原始版圖特殊光刻熱點修復率可達41.47％，新產生的熱點數比普通填充降低了70.71％。其中，最小寬度檢查(Min Width Check，MWC)熱點修復率達到86.67％