大基元晶體的制備及性能表征.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、由大基元結(jié)構(gòu)所形成的晶體所涉及的結(jié)晶行為與原子分子或離子等傳統(tǒng)晶體不同,除具有基元材料本身的性能外,還具有基元間耦合作用產(chǎn)生的新穎性能,這方面的研究還處于開始階段。本論文采用旋涂法在平面襯底上組裝大基元晶體,分析其中出現(xiàn)相變的原因。之后以共組裝法制備的大基元膠體晶體為模板,制備反光子晶體,并研究其光學帶隙對熒光物質(zhì)熒光性能的影響。在有特定結(jié)構(gòu)的襯底上,用提拉法研究在其上組裝大基元粒徑與襯底凹槽寬度比值不同時對大基元顆粒結(jié)晶性能和最終結(jié)構(gòu)

2、的影響。模擬傳統(tǒng)結(jié)晶學的外延生長技術(shù),用液態(tài)循環(huán)流動法在光刻法制備的襯底上組裝大基元顆粒,研究不同實驗條件下的結(jié)晶行為。主要研究內(nèi)容如下:
   1、旋涂法在普通載玻片上組裝單分散膠粒,考察使旋涂膠體晶體薄膜有序度最高的最佳旋涂轉(zhuǎn)速;對旋涂膠體晶體薄膜結(jié)果中出現(xiàn)的二層或多層現(xiàn)象及層與層之間發(fā)生的相變提出理論解釋。
   2、采用共組裝模板法制備SiO2反光子晶體,再利用雙基片沉積法向其中摻雜熒光染料喹吖因二鹽酸鹽,研究反

3、光子晶體光學禁帶對物質(zhì)熒光性能的影響。
   3、采用旋涂法在CD盤上組裝PS膠粒和SiO2膠粒,結(jié)果顯示當組裝基元與襯底的表面及物理性質(zhì)相近時,基元可以在襯底上很好的分散開來。在此基礎上,利用提拉法在CD盤上組裝不同平均粒徑大小的PS膠粒,由于凹槽寬度與PS膠粒粒徑比不同,可以組裝出不同的結(jié)構(gòu)式樣。
   4、利用機械拉伸法在PDMS/Pt柔性襯底/剛性薄膜系統(tǒng)上制備有序結(jié)構(gòu)褶皺,通過控制金屬Pt薄膜的厚度,得到一系列

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