1、金屬顆粒膜集單個金屬顆粒的性質(zhì)和互耦合納米晶的集體性質(zhì)于一身，表現(xiàn)出豐富的不同于塊體材料的物理性質(zhì)，在新型光電器件和光伏電池方面具有巨大的潛在應(yīng)用價值。另一方面，金屬顆粒膜的無序程度、電子結(jié)構(gòu)和電子關(guān)聯(lián)易于調(diào)節(jié)，為研究基礎(chǔ)物理問題提供了良好的實驗場所。本論文采用雙靶共濺射方法制備了系列Mox(SnO2)1-x顆粒薄膜，二維、三維以及不同基底溫度的Agx(SnO2)1-x顆粒薄膜，并對它們的微觀結(jié)構(gòu)和電輸運(yùn)性質(zhì)進(jìn)行了系統(tǒng)研究。
　　

2、在金屬體積分?jǐn)?shù)低于經(jīng)典逾滲閾值的Mo-SnO2顆粒薄膜中，我們觀察到了電導(dǎo)率與溫度的σ～exp[-(T0/T)1/2]依賴行為。通過詳細(xì)地對比討論，我們發(fā)現(xiàn)實驗結(jié)果并不能用變程躍遷和共隧穿模型來解釋，而是更滿足Sheng等人提出的考慮顆粒結(jié)構(gòu)效應(yīng)的跳躍導(dǎo)電模型。高溫區(qū)間的導(dǎo)電行為由熱漲落導(dǎo)致的隧穿(FIT)機(jī)制主導(dǎo)，隨著金屬體積分?jǐn)?shù)x的增大，薄膜電導(dǎo)率在很低的溫度下都依然保持著FIT導(dǎo)電行為。
　　我們在二維和三維排列的Ag-Sn

3、O2顆粒薄膜中都觀察到了霍爾系數(shù)(RH)和電導(dǎo)率(σ)與溫度的lnT依賴關(guān)系，這種行為從強(qiáng)耦合作用區(qū)域(顆粒間隧穿電導(dǎo)gT＞＞1)至臨界電導(dǎo)gc附近的區(qū)域都存在，這是來自于顆粒間電子-電子庫侖相互作用的量子修正。對于gT＞＞1的薄膜，庫侖相互作用的影響很小，可以視為微擾處理。隨著x的減小，庫侖相互作用增強(qiáng)，使得RH和σ的相對變化量也逐漸增大，至gc附近，三維排列薄膜中Δσ/σ的值增大到60％，這時庫侖相互作用已不能作為微擾處理。但是，理

4、論上基于gT＞＞1區(qū)域提出的表達(dá)式在gT→gt區(qū)域卻仍然是成立的，對此還需要進(jìn)一步的理論研究和計算。另外，三維Ag-SnO2顆粒薄膜的基底溫度從573K上升至673K，gT基本相同的薄膜中，平均顆粒尺寸增大了～2nm，電導(dǎo)率滿足lnT修正的最低溫度也降低了近一半，這與理論計算的結(jié)果基本一致。
　　在Mo-SnO2薄膜中，我們觀察到了巨霍爾效應(yīng)(GHE)，霍爾遷移率也在量子逾滲閾值附近增大約一個量級。另一方面，厚度～500nm、～2