硫酸鹽還原菌合成納米硫化鎘的研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、硫化鎘(CdS)是一種寬禁帶半導(dǎo)體納米材料,由于其特殊的催化性質(zhì)和光學(xué)性質(zhì)獲得普遍的應(yīng)用,它的合成與應(yīng)用已經(jīng)成為現(xiàn)今納米科學(xué)技術(shù)領(lǐng)域中備受關(guān)注的焦點(diǎn)。相對于常規(guī)的物理法和化學(xué)法,近年來出現(xiàn)的微生物法越來越受到關(guān)注和重視。由于在常溫常壓下其生物轉(zhuǎn)化過程能夠順利進(jìn)行,所以采用微生物法和成納米材料具有許多優(yōu)點(diǎn),如較低的能源消耗、較低的環(huán)境污染、可以充分利用生物資源,繼而獲得穩(wěn)定性較高的納米顆粒。故微生物法制備硫化物納米材料成為具有發(fā)展前景的新

2、方法。
  本文利用硫酸鹽還原菌建立了生物合成納米CdS的途徑,Cd2+可以直接和硫酸鹽還原菌產(chǎn)生的硫化物反應(yīng)生成納米CdS顆粒。
  研究結(jié)果表明:
 ?。?)通過測定菌株的生長曲線,可知36小時為硫酸鹽還原菌的最佳培養(yǎng)期,采用LSD法在α=0.05水平進(jìn)行計算,Cd2+對硫酸鹽還原菌生長的安全濃度為170 mg?L-1。確定了硫酸鹽還原菌的生長和對Cd2+轉(zhuǎn)化的最佳條件如下:pH為7,溫度為30℃,厭氧黑暗,接種量

3、為10%,Cd2+的轉(zhuǎn)化率可達(dá)98.76%。Cd2+初始濃度為25、40、50、100、170 mg?L-1時,硫酸鹽還原菌對Cd2+的轉(zhuǎn)化符合一級動力學(xué)特征,半衰期分別為24h、27h、28h、29h、30h,轉(zhuǎn)化動力學(xué)方程分別為:C=31.566e-0.029t、C=47.631e-0.026t、C=58.987e-0.025t、C=109.35e-0.024t、C=183.57e-0.023t。
 ?。?)考察不同初始pH、

4、反應(yīng)溫度和接種量對CdS納米顆粒的影響,利用XRD、SEM、HRTEM和EDS表征分析,證明了所獲得的產(chǎn)物為分布均勻的納米CdS粒子。不同pH值下制備的CdS晶體具有相同的結(jié)構(gòu)和形狀,顆粒粒徑隨pH的增加而增大,但在pH5時,無CdS納米顆粒生成,pH6時,納米CdS的粒徑最小;不同溫度下制備的CdS晶體的粒徑隨溫度的升高而增大;而接種量的變化對產(chǎn)物的粒徑影響不大。上述條件下的產(chǎn)物的粒徑在5~10 nm之間。
  (3)通過測定硫

5、酸鹽還原菌在不同pH值、溫度、接種量的條件下產(chǎn)生亞硫酸鹽酶、APS還原酶酶活力的影響分析表明,產(chǎn)酶的最佳條件為:pH為7,溫度為30℃,厭氧黑暗,接種量為10%。產(chǎn)酶的高峰期為36 h。在硫酸鹽還原菌菌體細(xì)胞內(nèi),Cd在不同部位的分布,結(jié)果表明菌體對Cd2+的轉(zhuǎn)化主要集中于細(xì)胞膜上。菌體細(xì)胞通過透射電子顯微鏡的分析觀察,可知培養(yǎng)在含鎘培養(yǎng)基中的菌體細(xì)胞內(nèi)包含許多密集的高電子微粒,生長在無Cd2+的空白對照樣中的菌體細(xì)胞未有這些顆粒物質(zhì)出現(xiàn)

6、,利用HRTEM和能譜對顆粒物分析,可知該物質(zhì)為納米CdS顆粒。
 ?。?)不同pH值條件下合成的納米CdS會影響甲基橙的降解率,實(shí)驗(yàn)表明:其中粒徑最小的pH6合成產(chǎn)物光催化降解甲基橙的效果最好,240min后降解率達(dá)98.8%;不同溫度條件下制備的納米CdS也會影響催化劑甲基橙的降解率,15℃制備的顆粒較小的樣品在240 min的反應(yīng)時間內(nèi)就能夠達(dá)到93%以上的降解率;不同接種量條件下制備的納米CdS則與甲基橙的降解率無關(guān)。

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