1、自2004年石墨烯被成功分離之后，一系列其它二維晶體材料神秘的面紗被慢慢地揭開，其中六方氮化硼(h-BN)是一種晶格結(jié)構(gòu)、物理性質(zhì)和石墨烯既相似又互補(bǔ)的二維層狀晶體材料。如今已有很多科學(xué)家通過探索制備出石墨烯—氮化硼異質(zhì)結(jié)等材料結(jié)構(gòu)來研究其在微電子器件上的應(yīng)用前景。本文主要通過h-BN表面納米溝槽的刻蝕和氣泡制備來研究六方氮化硼表面微納結(jié)構(gòu)的制備與表征。
　　在h-BN表面刻蝕部分，研究了六方氮化硼表面納米槽的刻蝕工藝及影響因素。

2、首先，通過采用納米顆粒作為刻蝕催化劑，在h-BN表面獲得各向異性良好的直線型h-BN表面納米溝槽，并將其設(shè)定為標(biāo)準(zhǔn)常規(guī)工藝，在此基礎(chǔ)上分別在還原性刻蝕氣氛和氧化性刻蝕氛圍下，實(shí)現(xiàn)h-BN表面納米溝槽的長度、深度、寬度和密度的可控刻蝕。探索了六方氮化硼表面納米溝槽刻蝕的各種影響因素，研究了h-BN表面線刻蝕各向異性隨氣體壓強(qiáng)以及刻蝕氣氛濃度的改變所產(chǎn)生的相應(yīng)變化規(guī)律。
　　在氣泡研究部分，利用化學(xué)氣相沉積的管式爐在等離子體射頻電源的