1、進(jìn)入21世紀(jì)，信息技術(shù)深刻地影響并改變著經(jīng)濟(jì)、軍事、文化等各個(gè)領(lǐng)域。一方面它讓人們享受著科技帶來(lái)的便捷，另一方面，信息在安全方面的隱患也日益突出。作為信息安全的一部分，存儲(chǔ)器的安全也隨著智能家居、智能城市的提出而備受重視。近些年來(lái)，越來(lái)越多的研究表明存儲(chǔ)器中存在著數(shù)據(jù)殘留現(xiàn)象，即數(shù)據(jù)經(jīng)過(guò)擦除仍然有被恢復(fù)的可能。這將給國(guó)家安全、商業(yè)秘密、個(gè)人隱私帶來(lái)不同程度的影響。
　　在此背景下，本文針對(duì)Flash存儲(chǔ)器進(jìn)行了數(shù)據(jù)深度擦除技術(shù)的研

2、究。首先對(duì)Flash的數(shù)據(jù)殘留現(xiàn)象進(jìn)行了分析，明確了浮柵上的殘留電子對(duì)數(shù)據(jù)殘留的重要影響。針對(duì)浮柵上的殘留電子進(jìn)行了器件級(jí)建模，用9位以內(nèi)的任意序列對(duì)Flash單元進(jìn)行覆蓋仿真，并提取數(shù)據(jù)殘留值。依據(jù)這些數(shù)據(jù)殘留值找出有效的數(shù)據(jù)深度擦除序列。另外，本文設(shè)計(jì)了漏電流讀出電路，對(duì)深度擦除序列的有效性進(jìn)行驗(yàn)證。考慮到與讀出電路的交互，本文首先給出了Flash單元的實(shí)現(xiàn)方案，其中包括高壓開(kāi)關(guān)的設(shè)計(jì)和電流引導(dǎo)電路的設(shè)計(jì)。漏電流讀出電路采用全差分跨

3、阻放大器和電壓放大器級(jí)聯(lián)的結(jié)構(gòu)來(lái)提高跨阻增益，降低共模干擾。最后，本文還設(shè)計(jì)了一款混合型CMOS電壓基準(zhǔn)來(lái)為模擬模塊提供恒定的偏置電壓。
　　本文對(duì)漏電流讀出電路和CMOS電壓基準(zhǔn)采用0.18μm標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝進(jìn)行設(shè)計(jì)，并給出了仿真結(jié)果。其中漏電流讀出電路的輸出擺幅為-2.974V～2.959V，跨阻增益為7.4MΩ，等效輸入電流噪聲為0.035nA，線性度良好;混合型CMOS電壓基準(zhǔn)的溫漂系數(shù)為12.7ppm/℃，PSRR為-