基于能帶調(diào)制技術(shù)的AlGaN-GaN功率器件研究.pdf_第1頁(yè)
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1、作為寬禁帶半導(dǎo)體器件,AlGaN/GaN基功率器件在功率開(kāi)關(guān)與功率整流中,以其耐高壓、低導(dǎo)通電阻等特性而成為國(guó)際研究熱點(diǎn)之一。其中,異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(HFET)溝道中負(fù)離子注入在可以調(diào)制能帶分布的同時(shí),也能夠顯著改變異質(zhì)結(jié)界面處的自由電子濃度。因此,基于該方法的能帶調(diào)制技術(shù)將可以有效的為修正器件閾值電壓,減小柵極漏電與制作結(jié)終端區(qū)域提供理論依據(jù)。
  本論文正是針對(duì)以上所述,以能帶調(diào)制技術(shù)基礎(chǔ)上的功率開(kāi)關(guān)器件為研究對(duì)象,對(duì)負(fù)離子

2、注入技術(shù)形成的降低表面電場(chǎng)區(qū)(RESURF)的設(shè)計(jì)優(yōu)化,能帶調(diào)制模型的建立以及因能帶調(diào)制而減小的柵極正向泄露電流進(jìn)行了詳盡的討論與研究。主要內(nèi)容為:
  1.驗(yàn)證負(fù)離子注入技術(shù)在功率器件中輔助耐壓的工作機(jī)理。首先借助仿真分析手段得到器件仿真優(yōu)化設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu),包括在AlGaN/GaN功率HFET的漏極側(cè)柵極邊緣引入負(fù)離子以擴(kuò)展結(jié)終端。負(fù)離子引入方式包括不同摻雜劑量的均勻摻雜以及不同的結(jié)終端擴(kuò)展長(zhǎng)度,以形成電場(chǎng)分布均勻化,并以實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證。<

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