1、由于量子級聯(lián)激光器（QCL）具有高功率、低閾值、工作波段范圍廣等特點，所以其應用價值也受到了廣泛重視，它不僅可作為激光成像雷達的光源，還可以應用在化學傳感、光電對抗、大氣污染監(jiān)測、醫(yī)學無損傷治療和太赫茲主動成像技術等眾多領域之中。
　　QCL自身的級聯(lián)設計使得器件發(fā)熱量較大，制約了其大范圍商品化的進程。本文首先從InGaAs/InAlAs QCL的基本結構、器件參數(shù)以及相應的理論知識出發(fā)，分析了器件的熱來源、熱傳遞方式及其計算方法

2、；其次，本文給出了制備InGaAs/InAlAs QCL的工藝流程，研究了其中的主要工藝，包括光刻、濕法刻蝕、歐姆接觸以及封裝工藝，并系統(tǒng)地分析了各項工藝中的操作要領及注意事項；再次，本文利用ANSYS12.0有限元分析軟件模擬了使用不同材料封裝的QCL的溫度場分布情況，得出結論：In焊料封裝的InGaAs/InAlAs QCL的散熱能力最強。
　　最終，本文采用模擬結果最佳的In焊料成功完成了InGaAs/InAlAs QCL的