1、聚合物材料具有質(zhì)量輕，化學(xué)合成簡(jiǎn)便且成本低廉的特點(diǎn)，與硅基等無(wú)機(jī)材料相比，具有較高的電光耦合系數(shù)、熱光耦合系數(shù)以及較低的介電常數(shù)，另其制作工藝不僅大規(guī)模集成電路的制作工藝兼容，且加工溫度更低，因此，關(guān)于使用光學(xué)聚合物材料設(shè)計(jì)、制作微光學(xué)元件，以及應(yīng)用聚合物微光學(xué)元件等方面研究工作也越來(lái)越多。
　　本文首先對(duì)聚合物微光學(xué)元件的應(yīng)用發(fā)展趨勢(shì)進(jìn)行了說(shuō)明，然后對(duì)目前國(guó)內(nèi)外使用光學(xué)聚合物材料制作微光學(xué)元件的技術(shù)進(jìn)行了綜述。針對(duì)光敏聚合物其折

2、射率會(huì)隨著曝光劑量變化的特點(diǎn)，并結(jié)合數(shù)字掩模光刻技術(shù)能對(duì)曝光劑量靈活調(diào)節(jié)，發(fā)現(xiàn)數(shù)字掩模光刻技術(shù)在制作聚合物微光學(xué)元件是具有優(yōu)勢(shì)的。
　　本文隨后對(duì)數(shù)字掩模光刻系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)、工作原理、光路、掩模生成系統(tǒng)等進(jìn)行了詳細(xì)介紹。利用光敏聚合物光學(xué)材料因與其敏感波長(zhǎng)相互作用吸收能量其折射率發(fā)生變化這一特點(diǎn)，選用商業(yè)光敏聚合物SU-8作為加工材料，通過(guò)設(shè)計(jì)計(jì)算機(jī)數(shù)字掩模來(lái)控制曝光劑量，研究了SU-8的臨界曝光劑量和曝光深度，以作為制作聚合物微光學(xué)

3、元件的依據(jù)。
　　然后以聚合物二元相位光柵為例，本文詳細(xì)給出了基于精縮投影數(shù)字掩模光刻系統(tǒng)制作聚合物二元相位光柵的工藝流程并對(duì)制作樣品進(jìn)行表征。使用數(shù)字掩模對(duì)曝光劑量進(jìn)行調(diào)節(jié)，在聚合物薄膜中形成期望折射率分布，從而制作出二元相位光柵。應(yīng)用數(shù)字掩模技術(shù)制作光敏聚合物相位光柵掩模制作成本低、效率高、操作靈活，且制作工程中無(wú)需顯影、刻蝕等工藝，避免了物理和化學(xué)腐蝕以及高溫過(guò)程中對(duì)器件造成損傷，工藝得到了大大簡(jiǎn)化。本文也對(duì)聚合物二元相位光