1、高壓橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管(LDMOS)因具有擊穿電壓高、導(dǎo)通電阻低且易與標(biāo)準(zhǔn)互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管(CMOS)工藝集成等優(yōu)點，已成為功率集成電路的核心元件之一。由于高壓LDMOS器件通常工作在高電壓、大電流和快速開關(guān)狀態(tài)下，其熱載流子可靠性問題非常突出。器件SPICE模型是對器件電學(xué)特性的描述與預(yù)測，是連接電路設(shè)計與物理器件的橋梁。然而，目前國內(nèi)外并沒有描述高壓LDMOS器件熱載流子效應(yīng)的SPICE模型，因此，設(shè)計人員在

2、電路設(shè)計時無法提前預(yù)測高壓LDMOS器件熱載流子效應(yīng)對高壓集成電路壽命的影響。
　　本文首先闡述了一套完整的高壓LDMOS器件熱載流子效應(yīng)的建模方法，其中選擇實驗室自主開發(fā)的高壓LDMOS器件的SPICE模型作為建?；A(chǔ)，選擇Verilog-A語言作為模型描述語言，分別選擇MBP和HSPICE作為提模工具和電路仿真工具;然后，在幸運(yùn)載流子模型的基礎(chǔ)上，通過考慮熱載流子退化飽和效應(yīng)和溫度效應(yīng)，建立了完整的高壓LDMOS器件熱載流子效

3、應(yīng)的直流特性模型;接著，在考慮熱載流子退化恢復(fù)效應(yīng)和脈沖邊沿效應(yīng)的基礎(chǔ)上，采用準(zhǔn)靜態(tài)建模思想完成了高壓LDMOS器件熱載流子效應(yīng)的交流特性建模;在此基礎(chǔ)上，闡述了高壓LDMOS器件熱載流子效應(yīng)交、直流特性模型參數(shù)的提取方法，最后，采用基于200V絕緣體上硅(SOI)工藝的高壓LDMOS器件對所建模型的精度進(jìn)行了驗證。
　　驗證結(jié)果表明，本論文所建高壓LDMOS器件熱載流子效應(yīng)的直流特性模型和交流特性模型的均方誤差（RMS）分別在5