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![基于MCM的SAR數(shù)據(jù)處理模塊關(guān)鍵技術(shù)研究.pdf_第1頁(yè)](https://static.zsdocx.com/FlexPaper/FileRoot/2019-3/14/17/9d1b9aed-2906-477c-87ae-827e19c7076f/9d1b9aed-2906-477c-87ae-827e19c7076f1.gif)
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1、合成孔徑雷達(dá)具有全天候偵查能力,是一種重要的偵查測(cè)量手段,很多領(lǐng)域都對(duì)合成孔徑雷達(dá)有明確的需求。近年來(lái),設(shè)備小型化技術(shù)得到了充足的發(fā)展,在技術(shù)上已經(jīng)可以做到合成孔徑雷達(dá)的小型化,以方便合成孔徑雷達(dá)安裝在小型載具上使用。實(shí)現(xiàn)合成孔徑雷達(dá)小型化的關(guān)鍵技術(shù)有多芯片組件技術(shù)和LTCC技術(shù)。多芯片組件技術(shù)是一種組裝效率較高的微電子組裝技術(shù),它將大量電子元器件組裝在面積較小的高密度互連基板上?;宓脑O(shè)計(jì)是多芯片組件設(shè)計(jì)的關(guān)鍵。低溫共燒陶瓷基板有燒結(jié)
2、溫度低、燒結(jié)收縮率穩(wěn)定、介質(zhì)材料介電常數(shù)小絕緣性好、導(dǎo)體電阻率小、層疊數(shù)目不受限制等優(yōu)良特性。低溫共燒陶瓷基板的這些優(yōu)點(diǎn)極大地方便了基板的設(shè)計(jì)。多芯片組件將大量的電子元器件組裝在面積還很小的基板上,致使電子元器件間距很小,布線密度很大,必然會(huì)導(dǎo)致信號(hào)完整性問題的出現(xiàn)。因此有必要對(duì)多芯片組件進(jìn)行信號(hào)完整性仿真,并以仿真結(jié)果指導(dǎo)多芯片組件的設(shè)計(jì)。
本文主要研究了基板內(nèi)部過(guò)孔對(duì)信號(hào)完整性的影響。首先,本文為過(guò)孔建立了電氣模型,該模型
3、是一個(gè)π形電路,包括一個(gè)寄生電容和兩個(gè)寄生電感。然后本文通過(guò)對(duì)該模型進(jìn)行仿真研究了當(dāng)過(guò)孔位于信號(hào)線末端和信號(hào)線中間兩種情況下過(guò)孔對(duì)信號(hào)完整性的影響。仿真結(jié)果表明,過(guò)孔對(duì)信號(hào)完整性的影響隨寄生電容和寄生電感的增大而增大;當(dāng)過(guò)孔位于信號(hào)線中間時(shí)對(duì)信號(hào)完整性的影響要大于位于末端的情況。因此在設(shè)計(jì)多芯片組件時(shí)盡量選用寄生效應(yīng)的過(guò)孔并減少使用數(shù)量。在考慮信號(hào)完整性的前提下,本文以合成孔徑雷達(dá)的小型化為出發(fā)點(diǎn),研究了使用多芯片組件技術(shù)對(duì)合成孔徑雷達(dá)
4、的數(shù)據(jù)處理模塊進(jìn)行重新設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn)的問題。首先,對(duì)原有的數(shù)據(jù)處理模塊進(jìn)行重組以滿足三維多芯片組件的結(jié)構(gòu)要求。原數(shù)據(jù)處理模塊被設(shè)計(jì)成三維多芯片組件的結(jié)構(gòu),由封裝保護(hù)外殼、頂層二維多芯片組件、底層二維多芯片組件和垂直互連部件四大部分組成。然后使用Cadence軟件為重組的數(shù)據(jù)處理模塊建立符號(hào)庫(kù)、封裝庫(kù)、設(shè)計(jì)原理圖、設(shè)計(jì)版圖并導(dǎo)出生產(chǎn)數(shù)據(jù),生產(chǎn)數(shù)據(jù)主要包括鉆孔數(shù)據(jù)文件和光繪數(shù)據(jù)文件。最后根據(jù)導(dǎo)出的生產(chǎn)數(shù)據(jù)采用低溫共燒陶瓷技術(shù)經(jīng)過(guò)實(shí)現(xiàn)三維多芯片組
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