1、由于常規(guī)的GaN是在極性c面藍(lán)寶石上面生長的，具有較強(qiáng)的極化效應(yīng)，它對(duì)于高電子遷移率的晶體管是有用的，但對(duì)于光電器件確實(shí)是危害很大的。由極化引起的內(nèi)建電場(chǎng)使能帶產(chǎn)生彎曲傾斜，還會(huì)使正負(fù)載流子在空間上分離，電子與空穴波函數(shù)交迭變小，輻射復(fù)合效率變低，從而影響材料的發(fā)光效率。為了消除上述問題，可以生長非極性a面GaN材料但非極性a面GaN材料的生長質(zhì)量很差，位錯(cuò)密度高?；诖耍疚淖隽巳缦卵芯浚?br>　　1.通過自主研發(fā)的MOCVD系統(tǒng)在

2、r面藍(lán)寶石襯底上面生長了非極性a面GaN薄膜。通過研究溫度和壓力對(duì)非極性a面GaN生長質(zhì)量的影響，發(fā)現(xiàn)在生長溫度為1020，生長壓力為80Torr時(shí)，生長的非極性a面GaN的質(zhì)量相對(duì)較好，位錯(cuò)較低。
　　2.為了降低O濃度，做出效果好的p型摻雜，本文提出了一種Ⅴ-Ⅲ比漸變式的非極性GaN生長結(jié)構(gòu)，Ⅴ-Ⅲ比分別為1000,1580,2550。該結(jié)構(gòu)生長的非極性a面GaN材料質(zhì)量和低Ⅴ-Ⅲ比時(shí)的非極性a面GaN材料質(zhì)量相當(dāng)。