1、薄膜晶體管是顯示器的核心部分，其性能直接關系到顯示器的好壞，作為大量應用生產的電子器件，我們對它的研究不能僅局限于提高器件的性能，還應該在薄膜晶體管的制備成本、制備條件、原料來源等方面多加研究。本文主要的研究工作分為三個部分:
　　(1)利用噴霧熱分解技術沉積氧化鋅薄膜晶體管:選擇SiO2/Si作為襯底，襯底背面是重摻雜的P型硅，正面是通過干氧氧化得到的300 nm厚的SiO2絕緣層，使用銦離子摻雜，通過一系列的試驗，我們得到了制

2、備氧化鋅薄膜的最佳條件，通過對薄膜內部結構以及表面形貌的測量分析，得出我們制備的氧化鋅薄膜具有均勻致密的表面，薄膜內部氧化鋅形成了多晶體結構，主要生長取向為(111)和(112)晶向，同時摻雜的氧化銦沒有形成晶體，因為在薄膜的XRD圖譜中沒有氧化銦的衍射峰位。薄膜在可見光區(qū)的光學透過率超過85％，證明了氧化鋅可以制備透明導電薄膜。然后我們在氧化鋅薄膜上通過熱蒸發(fā)技術和掩膜技術制備了源極和漏極薄膜電極，選擇Al作為電極蒸發(fā)源，金屬掩膜使氧

3、化銦半導體層形成了固定長寬的導電溝道。對制備完成的In-ZnO薄膜晶體管的電學性能測試得到:我們通過噴霧熱分解法制備的氧化鋅薄膜晶體管具有顯著地n型場效應晶體管特性，其輸出特性曲線包含有截止區(qū)、線性區(qū)和飽和區(qū)，最小電流為1.02×10-8A，飽和電流為6.3×10-4A。晶體管具有較小的閾值電壓為-5.1 V，飽和遷移率為0.61 cm2/Vs。
　　(2)利用噴霧熱分解技術沉積氧化銦薄膜晶體管:選用SiO2/Si作為沉積沉底，通

4、過實驗條件不斷調整和優(yōu)化，我們得到了最佳性能的氧化銦薄膜，通過對薄膜性能的表征，證明了噴霧熱分解技術制備的氧化銦薄膜晶粒在襯底表面均勻致密的排列在一起，氧化銦晶體擇優(yōu)生長取向為(111)，氧化銦薄膜在可見光波長內的光學透過性良好。然后我們在氧化鋼薄膜上通過熱蒸發(fā)技術和掩膜技術制各了金屬Al薄膜作為器件的源極和漏極。對制備完成的In2O3薄膜晶體管的電學性能測試得到:氧化銦薄膜晶體管表現(xiàn)為良好的n型場效應晶體管特性，最低電流為1.9×10

5、-10A，飽和電流為1.15×10-6 A。晶體管具有的閾值電壓為3.7V，飽和遷移率為0.03 cm2/Vs。
　　(3)采用磁控濺射沉積技術制備了氧化銦薄膜及其晶體管。通過對比各種制備條件下制備的氧化銦薄膜性能和薄膜晶體管電學性能，我們分析討論了一些參數(shù)對薄膜和晶體管的影響。①隨著溝道層厚度的增加，氧化銦薄膜的光學透過率逐漸減小，半導體的載流子濃度不斷增大，氧化鋼薄膜晶體管的飽和電流也是一次變大，但是當氧化銦薄膜厚度過小時，晶

6、體管的飽和電流較小，難以保證較大的開關比。當器件的溝道層厚度過大時，雖然器件獲得了大的開態(tài)電流，但由于其載流子濃度過高，器件的不能進入截止狀態(tài)，最低電流也很大，同樣不能獲得良好的晶體管性能。只有當溝道層厚度適當時，晶體管才能獲得好的綜合性能。②后退火處理可以促進氧化銦形成結晶，但是同時會降低氧化銦薄膜的導電性。③365 nm光照對器件的截止區(qū)影響較大，而對飽和區(qū)的影響基本可以忽略。因為365 nm光照射半導體層后產生光生載流子現(xiàn)象，在截